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用x 射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构! - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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用 射线形貌研究半绝缘砷化镓
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单晶胞状结构!
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徐岳生 唐 蕾 王海云 刘彩池 郝景臣
!）（河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津 #$$!#$ ）
）（中国信息产业部!%!# 所，石家庄 $$$!）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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通过 射线异常透射形貌（ ），化学腐蚀显微观察和电子显微技术（ ）研究了液封直拉（ ）法生长的半
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绝缘砷化镓（ ）单晶中蜂窝状胞状结构，从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应
0123456
考虑，分析了该结构的形成机理与过程 认为这是由高密度位错（ ）运动和反应所形成的小角度晶界的集合群
7 ,89 7
关键词： ，小角度晶界，胞状结构
0123456
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显微观察和+,- 方法，对国内、外常规.,/ 法生产
!? 引 言 的直径为# 英寸以及更大的0123456 单晶，进行了
位错密度及分布的检测 发现均无一例外的在晶片
宽带光纤通讯、无线移动和多媒体网络通讯的 7
的周边区域，都存在蜂窝状的胞状结构 本文从晶体
发展，带动了砷化镓微电子器件芯片生产的大发展7 7
热弹性形变引起位错的运动过程考虑，对结构的本
使得半绝缘砷化镓（ ）衬底抛光片的市场容量
0123456
［，］ 质及形成机理与过程进行了分析7
迅速扩大，成为当代信息产业的重要材料之一! 7
0123456材料中的杂质、缺陷、衬底与外延层的晶格
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