任务二组装与调试晶体管应用电路.PPT

马鞍山技师学院。职业技术学院 电气自动化系 杨兰平 半导体二极管和三极管是最简单的半导体器件，它们在电子技术中有着非常广泛的应用。掌握半导体器件的选用方法，学会测试插装晶体管应用电路是非常必要的。 * * 1.了解晶体二极管的特性。 2.学会查阅半导体器件手册，熟悉晶体管的 类型、型号及主要性能参数。 3.掌握晶体管简单电路的插装与测试方法。 任务二 组装与调试晶体管应用电路 【学习目标】 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件 【任务引入】 任务二 组装与调试晶体管应用电路 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件 一、二极管的特性 ●伏安特性曲线 1. 二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的伏安特性曲线如图1-2-1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 任务二 组装与调试晶体管应用电路 【相关知识】 图1-2-1二极管的伏安特性曲线 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件 图1-2-1二极管的伏安特性曲线 （1）正向特性当U＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。 当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管 的死区电压Uth =0.5 V左右，锗二极管的死区电压Uth =0.1 V左右。 任务二 组装与调试晶体管应用电路 【相关知识】 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件 （2） 反向特性 当U＜0 时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当UBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当U≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|UBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若UBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。 任务二 组装与调试晶体管应用电路 【相关知识】 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件 2. 二极管的主要参数 （1）主要参数 1）最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 2）反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM——二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压URM一般只按反向击穿电压UBR的一半计算。 3）反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 4）正向压降UF——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。 5）动态电阻rd——反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即rd =?UF /?IF 任务二 组装与调试晶体管应用电路 【相关知识】 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件 （2）温度特性 温度对二极管的性能有较 大的影响，温度升高时，反向 电流将呈指数规律增加, 如硅 二极管温度每增加8℃，反向 电流将约增加一倍；锗二极管 温度每增加12℃ ，反向电流 大约增加一倍。另外，温度升 高时，二极管的正向压降将减 小，每增加1 ℃，正向每增加1 ℃，正向压降uF(ud)大约减小2mV，即具有负的温度系数。这些可以 从图1-2-2所示二极管的伏安特性曲线上看出。 任务二 组装与调试晶体管应用电路 【相关知识】 图1-2-2 温度对特性曲线的影响 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件 3. 稳压二极管的特性 稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图1-2-3所示。 任务二 组装与调试晶体管应用电路 【相关知识】 (a) 符号 (b) 伏安特性 c) 应用电路 图1-2-3 稳压二极管的伏安特性 模块Ⅰ模电 项目一 常用半导体器件