数字电路设计 第6章 半导体存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

图 ROM实现函数 的运算表电路 3.随机存取存储器（RAM） 随机存储器也叫可读写存储器。根据存储单元的工作原理不同，RAM可分为静态RAM（Static Random Access Memory，简称SRAM）和动态的RAM（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）两种。 SRAM使用触发器作为存储元件，因而只要使用直流电源，就可存储数据。SRAM的特点是速度快，工作稳定，且不需要刷新电路，使用方便灵活。但由于它所用MOS管较多，致使集成度低，功耗较大，成本也高。在微机系统中，SRAM常用做小容量的高速缓冲存储器。 DRAM使用电容作为存储单元，只有通过刷新对电容再充电，才能长期保存数据。DRAM的特点是集成度高，功耗低，价格便宜，但由于电容存在漏电现象，电容电荷会因为漏电而逐渐丢失，因此必须定时对DRAM进行充电刷新。在微机系统中，DRAM常被用做内存（即内存条）。 当电源被移走后，SRAM和DRAM都会丢失存储的数据，因此RAM被归类为易失性存储器。 1）结构与工作原理 由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成 2）RAM的存储单元 （ 1）SRAM的存储单元 　六管CMOS管组成静态存储单元。 T1?T4为SR锁存器， T5、T6为门控管； Xi=1时，所在行被选中，T５、T６导通，锁存器的Q和Q′端与位线