ldo芯片设计报告及电路分析报告.pdfVIP

集成于射频芯片的LDO 电路设计报告 总体电路仿真报告 版图设计报告 电子科技大学VLSI 设计中心 2015 年11 月10 日 目 录 目 录 第一部分 应用1 LDO 的分析与设计 1 LDO 芯片的特点 1 LDO 芯片的详细性能参数 1 第二部分 电路设计报告5 整体电路上电启动模块 5 电流偏置模块 7 带有修调功能的基准模块11 带隙基准源的修调电路设计 21 预调整放大器模块 23 低通滤波器模块 27 保护电路模块 31 电压跟随器模块 39 第三部分 总体电路的仿真43 直流参数 44 线性调整率 45 负载调整率 46 静态电流 46 瞬态仿真 47 噪声仿真 48 交流特性仿真 49 PSRR 特性仿真 52 第四部分 LDO 芯片版图设计56 I 电子科技大学VLSI 设计中心 第一部分 应用 LDO 的分析与设计 本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负 载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工艺 完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个部分的电路设计，并用Cadence Spectre对设计的整体电路进行了仿真和优化，最终实现电路的设计要求，而且可以在片内 集成。可在0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，电路正常工作时温度范围：-55℃ ~+125℃，该电路工作电压范围为2.1～3.6V，输出电压1.8V，输出电压在全范围的波动： ≤4mV，输出电压准精度：≤10mV，最小压差在300mV以下，静态电流≤60uA；在10Hz～100KHz 范围内的内部输出噪声积分约为，≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS @300mA； 电源抑制比（PSRR，在10KHZ以下）：≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA；线性调整 率：≤0.1%；负载调整率：≤1%；启动时间：≤100us；电压瞬态响应：≤30us；负载瞬态响应： ≤50us；输出启动电压过冲：≤100mV；集成输入欠压过压保护、输出断路保护。另外集成过 温保护以及输入软启动电路。 LDO 芯片的特点  低静态电流  0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，带载能力强  在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声小  高电源抑制比（PSRR，在100KHZ以下）  可全片内集成 LDO 芯片的详细性能参数 下面将集中讲述一下此次芯片电路设计应该满足的条件，以便于在电路设计过程中有 1 电源监视芯片设计报告 一个总体的设计框架和设计思路。 衡量LDO的性能参数较多，下面介绍主要的几种性能参数。从对这些性能的分析过程中， 可以看到各个性能之间不是独立的，性能和性能之间会相互影响和制约。因此，在设计时， 要根据具体要求来具体分析。 1）电压差(Dropout Vo