半导体器件物理 第十二章 ppt.pptxVIP

半导体器件物理 9;本章内容;辐射跃迁; 在激发态中的原子是很不稳定的，经过短暂的时间后，不需要外来的激发，它就会跳回基态，并放出一个能量为hν12的光子，这个过程即称为自发辐射[图(b)]。; 发光二极管的主要工作过程是自发辐射，激光二极管则是受激辐射，而光探测器和太阳能电池的工作过程则是吸收。 ; 受激辐射速率正比于光子场能量密度ρ(hν12)，此能量密度是在辐射场内单位体积、单位频率的总能量。因此，受激辐射速率可以写成B21n2ρ(hν12)。其中n2是较高能级的电子浓度，而B21则是比例常数。自发辐射速率只和较高能级的分布成正比，因此可以写成A21n2，其中A21是常数。吸收速率则是正比于较低能级的电子分布及ρ(hν12)，此速率可以写成B12n1ρ(hν12)，其中B12是比例常数。因此在稳态时 ; 欲使受激辐射大于自发辐射，必须要有很大的光子场能量密度ρ(hν12)。为了达到这样的密度，可以用一光学共振腔来提高光子场。; 如图显示的是半导体中的基本跃迁．当半导体被光照射后，如果光子的能量等于禁带宽度(即hν=Eg)，则半导体会吸收光子而产生电子-空穴对，如(a)所示．若hν大于Eg，则除了会产生电子-空穴对之外，多余的能量(hν-Eg)将以热的形式耗散，如(b)所示。; 假设半导体被一光子hν能量大于Eg且光子通量为Φ0(即每秒每平方厘米所具有的光子数)的光源照射，当此光子通量进入半导体时，光子被吸收的比例是与通量的强度成正比。因此，在一增量距离Δx[图(a)]内，被吸收的光子数目为αΦ(x)Δx，其中α称为吸收系数，由光子通量的连续性可得 ; 当x＝W[图(b)]时，由半导体的另一端出射的光子通量为 ;例1：一0.25μm厚的单晶硅样品被一能量为3eV的单色光照射，其入射功率为10mW。试求此半导体每秒所吸收的总能量、多余热能耗散到晶格的速率以及通过本征跃迁的复合作用每秒所放出的光子数。 ; 发光二极管(LED)是一种p-n结，它能在紫外光、可见光或红外光区域辐射自发辐射光。可见光LED被大量用于各种电子仪器设备与使用者之间的信息传送。而红外光IED则应用于光隔离及光纤通讯方面。 ;下表列出了用来在 可见光与红外光谱 区产生光源的半导 体。 ; 当有一个以上的第Ⅲ族元素均匀分散于第Ⅲ族元素的晶格位置，或有一个以上的第V族元素均匀分散于第V族元素的晶格位置，就形成了此Ⅲ-V族化合物合金。三元化合物常用的符号是AxB1-xC或AC1-yDy，而四元化合物则用AxB1-xCyD1-y表示，其中A和B为第Ⅲ族元素，C和D为第V族元素，而x和y是物质的量的比。 ; 右图表示几种合金成分的能量-动量图。导带有两个极小值，一个沿着p=0的是直接极小值，另一个沿着p=pmax的是间接极小值。位于导带直接极小值的电子及位于价带顶部的空穴具有相同的动量(p=0)；而位于导带间接极小值的电子及位于价带顶部的空穴则具有不同的动量。辐射跃迁机制大部分发生于直接禁带的半导体中，如砷化镓及GaAs1-yPy(y0.45)，因其可以保持动量守恒。光子能量等于半导体的禁带宽度。 ; 对于y大于0.45的GaAs1-yPy及磷化镓，它们都是间接禁带半导体，其发生辐射跃迁的几率非常小，因为晶格的交互作用或其他散射媒介必须参与过程以保持动量守恒。常常通过引进一些特殊的复合中心以增加辐射几率。如对GaAs1-yPy而言，将氮引入晶格取代磷原子后，虽然二者的外围电子结构很相似，但它们的核心结构却不太相同，因此会在接近导带底部的位置建立一个电子陷阱能级，进而产生了一个等电子复合中心，并大大地提高间接禁带半导体的辐射跃迁几率。 ;含有氮的量子效率则显著地提高，但当y大于0.5时，量子效率随着y的增加而稳步地减小，因其直接禁带与间接禁带之间的距离加大了。 ;图(b)则是以磷化镓为衬底制造的发橙、黄或绿光的间接禁带幂LED,用外延方法生长的缓变型GaAs1-yPy合金层用来使界面间因晶格不匹配所导致的非辐射性中心减至最小。 ; 目前最有希望的材料是氮化镓(Eg=3.44eV)和相关的Ⅲ-V族氮化物半导体，如AlGaInN，其直接禁带范围由1.95eV至6.2eV。; 虽然没有晶格相匹配的衬底可供GaN生长，但是低温生长的AlN做缓冲层，即可在蓝宝石(Al2O3)上生长高品质的GaN。右图即为生长在蓝宝石衬底上的Ⅲ-Ⅴ族氮化物LED。 ; 有三种损耗机制会减少光子辐射的数量：①LED材料内的吸收作用；②当光通过半导体进入空气时，由于折射率的差异所引起的反射损失；③大于临界角θc