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第2章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1硅锗晶体中的杂质能级 实际晶体与理想晶体的区别 原子并非在格点上固定不动 杂质的存在 缺陷 点缺陷（空位，间隙原子） 线缺陷（位错） 面缺陷（层错，晶粒间界） 2.1.1替位式杂质、间隙式杂质 替位式杂质 杂质原子的大小与晶体原子相似 III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 间隙式杂质 杂质原子小于晶体原子 杂质浓度：单位体积内的杂质原子数 2.1.2施主杂质、施主能级 施主杂质 V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质或n型杂质。 施主电离 施主杂质释放电子的过程。 施主能级 被施主杂质束缚的电子的能量状态，记为ED，施主电离能量为ΔED。 n型半导体 依靠导带电子导电的半导体。 2.1.3受主杂质、受主能级 受主杂质 III族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质或p型杂质。 受主电离 受主杂质释放空穴的过程。 受主能级 被受主杂质束缚的空穴的能量状态，记为EA。受主电离能量为ΔEA p型半导体 依靠价带空穴导电的半导体。 2.1.4 浅能级杂质电离能简单计算 类氢模型 氢原子中电子能量 n=1,2,3……，为主量子数，当n=1和无穷时 氢原子基态电子的电离能 考虑到正、负电荷处于介电常数ε=ε0εr的介质中，且处于晶格形成的周期性势场中运动，所以有 施主杂质电离能 受主杂质电离能 2.1.5杂质的补偿作用 当NDNA时 n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 当ND≈NA时 补偿半导体 有效杂质浓度 补偿后半导体中的净杂质浓度。 2.1.6深能级杂质 非III、V族元素（37页图2-9） 特点 多为替位式杂质 硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。 金是I族元素 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。但由于库仑力的排斥作用，后获得电子的电离能大于先获得电子的电离能。即EA3EA2EA1。 金在各种存在ED、 EA3、EA2、EA1四个孤立能级。 2.3缺陷、位错能级 2.3.1点缺陷 热缺陷（由温度决定） 弗伦克尔缺陷 成对出现的间隙原子和空位 肖特基缺陷 只形成空位而没有间隙原子 对于化合物半导体，偏离正常的化学比 化合物半导体中的替位原子 空位易于间隙原子出现 因为空位周围有四个不成对电子，所以空位表现出受主作用； 每个间隙原子有四个可以失去的电子，所以表现出施主作用。 GaAs中的镓空位和砷空位均表现为受主作用； 离子性强的化合物半导体（M,X），正离子空位是受主，负离子空位是施主，金属原子为间隙原子时为施主，非金属原子为间隙原子时为受主。 离子性弱的二元化合物AB，替位原子AB是受主，BA是施主。 2.3.2位错 锗中的60°棱位错 （111）面内位错线[10-1]和滑移方向[1-10]之间的夹角是60°，图2-18。 锗中位错具有受主及施主的作用。 晶格畸变 * *