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生长GaN的垂直喷淋式MOCVD反应器设计调研报告摘要：GaN-MOCVD是生长GaN基半导体材料和器件的关键设备，无论是设备还是工艺，都还存在很大的发展空间和机遇。要设计新型的GaN-MOCVD设备，必须查阅相关资料，在前人的设计上有所突破。本文概括讲述了GaN-MOCVD设备的发展现状，并分析了其原理与技术，发展趋势，及对这类反应器的设计方法进行优化总结。关键词：GaN-MOCVD；发展现状；原理；应用；优化；1.调研目的了解当今国内外GaN-MOCVD设备的发展状况及设计方法，以便在后期设计中可以去粗取精，设计出新型，合理的垂直喷淋式GaN-MOCVD设备。2.调研的内容及方式通过借助图书馆的资源，收集了期刊，论文和专著等资料，查阅了关于GaN-MOCVD设备的发展状况，原理技术及应用趋势，并进行对比分析。3.调研内容3.1 GaN-MOCVD设备的发展现状金属有机化学气相沉积( metal organicchemical vapor deposition , 简称MOCVD) , 是将稀释于载气中的金属有机化合物导入反应器中 , 在被加热的衬底上进行分解、氧化或还原等反应 , 生长薄膜或外延薄层的技术。它是由 Mansevit 等在20世纪60 年代发展起来的,现已在半导体器件、金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜材料的制备和研究方面得到广泛应用。此技术是在1968年由美国洛克威尔公司Manasevit 和Simpson [6,7]等人提出的制备化合物半导体薄膜单晶的一项新技术。GaN- MOCVD设备非常复杂，我国尚处于研发阶段，国外已经推出多种商用机型。GaN- MOCVD设备的系统框图如图1所示：图1 MOCVD系统框图作为LED芯片生产过程中最为关键的设备，MOCVD的核心技术长期被欧美企业所垄断，严重制约了中国LED产业的健康发展。中晟光电设备上海有限公司于2012年1月18日成功实现了拥有自主创新知识产权的具有世界先进水平的大型国产MOCVD设备下线，仅用了10个月时间，又完成了工艺的开发和设备进一步的改进优化，完成了设备产业化生产必备条件与设施的建立；在此基础上又完成了4家客户的多次实地考察，亲临操作设备和验证各项工艺。对于国外MOCVD系统发展而言，随着化合物半导体器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN蓝光LED)市场的不断扩大，MOCVD系统的需求量不断增长。国际上实力最为雄厚的MOCVD系统制造商有:德国Aixtron公司、美国的Emcore公司（其MOCVD已被Veeco兼并）、英国的Thomass~(1999年被Aixtron兼并)等。因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，因此不同厂家的MOCVD系统最主要的区别在于反应室结构。Aixtron采用行星反应(Planetary Reactor)，Emcore采用TurboDisc反应室(该业务己出售给Veeco公司)、Thomas Swan(该公司于2003年2月份被Aixtron兼并)采用 Closed Coupled Showerhead(CCS)反应室。国内拥有的进口MOCVD系统700台左右，其中 Aixtron MOCVD系统和Emcore MOCVD系统占绝大多数，有少量的 Thomas Swan MOCVD系统、法国ASM MOCVD系统和日本RIPPON SANSO MOCVD系统，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。3.2 GaN- MOCVD设备的原理与技术 MOCVD-金属有机化学沉积反应器，是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。此过程对温度敏感性低，沉积速率高，重复性好。在化学气相沉积过程中，反应气体（如SiH4、Ga(CH3)3+NH3）从气源引入反应腔，利用加热、等离子体或激光等引发化学反应，从而在加热的衬底表面生长单晶和多晶（如Si、 GaN）等薄膜。以生长单晶Si为例，则总的反应式可表示为：SiH4→Si＋2H2反应气体通常都是由载气从气源携带进入反应腔的。载气可参加化学反应，也可以不参加化学反应。一般用N2、H2、Ar、He等作为载气。一个完整的CVD反应基本物理化学步骤如下图2，其最关键步骤：反应物蒸发，然后被运输到反应器反应腔的主气流区。在反应区内气相前体的反应，产生反应的中间体和气态副产物。反应物大量传输到衬底表面上。反应物被吸附在基板表面上。图2 CVD外延生长输运与反应的基本步骤[1]反应气体通常是由载气从气源携带入反应腔，且通