电工学第七版第14章半导体课件上.pptVIP

(14-*) U I 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 二、伏安特性： 非线性 大小和材料及环境温度有关 (14-*) 三、主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。电流超过允许值时，PN结过热会损坏管子。 2. 反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压U(BR)的一半或三分之二。点接触型D 管为数十伏，面接触型D管可达数百伏。 通常二极管击穿时，其反向电流剧增，单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 (14-*) 3. 反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小（ 几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要是利用它的单向导电性，它可应用于整流、检波、限幅、保护等等。 (14-*) U I 导通压降 实际二极管：正向导通 ---- 硅 0.6~0.8V 锗 0.2~0.3V 死区电压 ---- 硅 0.5V 锗 0.1V 定性分析：判二极管的工作状态 ---- 导通、截止 二极管电路分析 死区电压 (14-*) 理想二极管：正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开 导通压降 硅0.7V 锗0.2V U I (14-*) 二极管电路分析 分析方法： 1. 断开二极管 2. a) 分析其两端电位高低， b) 或其两端所加电压 UD 的正负。 3. a) V阳 V阴 → 导通 V阳 V阴 → 截止 b) UD 0 → 导通 UD 0 → 截止 (14-*) 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例 例1：二极管半波整流 (14-*) 例2：二极管的检波应用 R RL uI uR uO P11：例14.3.1 uR：R和C构成微分电路 t t t uI uR uO t1 t2 作用：除去正尖脉冲 (14-*) 例3：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ? 方法：先判二极管谁优先导通， 导通后二极管起嵌位作用 两端压降为定值。 因：VA VB 故：DA优先导通 DB截止 若：DA导通压降为0.3V 则：VY = 2.7V 解： P12：例14.3.2 DA -12V VA VB VY DB R 作用：钳位 (14-*) ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui ≤ 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 理想二极管，画出 uo 波形。 8V 例4： 二极管的用途： 整流、检波、钳位、限幅、开关、元件保护、温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – (14-*) 例5：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ? 方法：先判二极管谁优先导通， 导通后二极管起嵌位作用 两端压降为定值。 因：VA VB 故： DB 优先导通 DA截止 若： DB导通压降为0.3V 则：VY = 0.3V 解： P12：例14.3.2 DA VA VB DB VY +12V R (14-*) F D1 D2 A B -12V 例6： -0.3V 2.7V 2.7V 2.7V 设二极管的导通压降为0.3伏。 (14-*) F D1 D2 A B +12