利用原子力显微术在聚甲基丙烯酸甲酯薄膜上制作微影图案.PDFVIP

利用原子力顯微術在聚甲基丙烯酸甲酯薄膜上製作微影圖案 林俊羽 林鶴南 清華大學材料科學與工程學系 NSC 92-2120-E-007-005- 0500259 原子力顯微術(AFM)探針的尖端直徑約20~30 nm ，施加一偏壓於探針與半導體基版間，可產生大電場以及穿隧 電流。藉由穿隧電子通過電子阻劑並打斷阻劑高分子鍵，使長鏈分子分解 ，可在阻劑上製作奈米圖案。顯影劑 的沖洗將短鏈的阻劑分子除去後，留下的阻劑可做為後續製程的遮罩。本實驗使用接觸式掃描製作微影圖案。 選用的電子阻劑為分子量950k 的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) ，旋鍍在n 型半導體矽基板上。旋鍍厚度為 12 nm 與35 nm 。顯影劑為MIBK ：IPA 比例1 ：5 的稀釋液。利用探針施加10～30 V 等五種不同的電壓，以 10 μm/s 的掃描速率來比較顯影圖案的深度及線寬與電壓的關係。實驗達到的線寬為80 nm ，165 nm ，537 nm ，786 nm 。 關鍵字：掃描探針顯微術、奈米