关于金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点Si多层异质薄膜的特性.pdfVIP

第 27 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 4 2006 年 4 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Ap r . ,2006 金属 Ni 诱导横向晶化 Ge 纳米点/ Si 多层 异质薄膜的特性 鄢 　波 　张匡吉 　施 　毅 　濮 　林 　韩 　平 　张 　荣 　郑有火斗 (南京大学物理系 , 江苏省光电信息功能材料重点实验室 , 南京 　2 10093) ( ) 摘要 : 研究了利用低压化学气相沉积 L PCVD 和金属诱导横向结晶技术制备高密度 Ge/ Si 量子点多层异质结构. ( ) ( ) 首先在 SiO / Si 100 衬底上 L PCVD 生长了高密度 Ge/ aSi 量子点多层结构 ,然后在较低温度下 低于 550 ℃ ,利 2 用金属 Ni 诱导多层结构中的 aSi 层横向结晶制备出高质量的 Ge/ Si 量子点超晶格结构. 通过光学显微镜 、电子显 α 微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明 ,与单一 aSi 系统的金属 Ni 诱导相似 ,该多层结构中的各 Si 层退火后 ( ) μ 也具有 110 择优取向, 同时晶粒的直径较大 , 约在 4～5 m 左右. Ge 点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形 成高质量的晶态 Si 与 Ge 纳米点界面. 关键词 : Ge/ Si 量子点多层结构; 低压化学气相沉积; 金属诱导横向结晶 PACC : 6855 ; 6630 ; 0565 中图分类号 : TN 304 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 0407 1205 通常在单晶Si 表面自组织的 Ge 量子点存在尺寸分 1 　前言 布 ,而且形貌一般为直径 40 ～80n m , 高度数个 n m 的“碟状”, 对载流子只在 Z 方向上有束缚作用. 最 ( [ 4～6 ] 半导体量子点结构由于载流子 如电子 、空穴和 近有关研究表明 , 在非晶或多晶 Si 表面沉积的 ) 激子 量子限制作用使得其电学和光学性质发生了 Ge 量子点具有小尺寸 、高点密度特征 , 但非晶或多 很大的变化 , 使其在单电子器件 、光电子器件以及热 晶Si 在制备高性能的器件应用方面是不利的. 电器件等方面具有极为广阔的应用前景[ 1～3 ] . 其中, 与此同时