半导体工艺技术薄膜淀积题库.pptVIP

* * CVD versus PVD (coarse comparison) CVD PVD Flexibility Poor Good Deposition temperature High Low Deposition pressure High Low Step coverage (conformality) Good Poor Thickness uniformity Good Good Composition control Good Poor Film purity High Low Dielectric Preferred - Metal - Preferred * 本章主要内容 常用的淀积薄膜有哪些？举例说明其用途。 什么是CVD？描述它的工艺过程。 CVD的控制有哪两种极限状态？分别控制什么参数是关键？ 单晶硅（外延）—器件；多晶硅—栅电极；SiO2—互连介质；Si3N4—钝化。金属… 化学气相淀积：反应剂被激活后在衬底表面发生化学反应成膜。1)主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面；2)反应剂被吸附在硅片表面；3)反应成核生长；4)副产物挥发。 表面反应控制：温度 质量输运控制：反应器形状，硅片放置 * CVD的原理，制作的典型薄膜 DG?1/P ，hG?DG hG升高?低温反应，淀积均匀性增加，产率增加。外延硅（单晶生长，多晶硅， SiO2， Si3N4，淀积温度较高；反应源来源有限 PECVD的原理，制作的典型薄膜 激活能部分来自于等离子体— 反应气体被加速电子撞击而离化，形成不同的活性基团，低温下反应生成固态膜。非化学配比的氧化硅、氮化硅 蒸发的原理，两种加热方式 在真空中加热蒸发材料，使其原子或分子蒸发到真空，转移、冷凝在基片上，形成薄膜。加热：电阻丝或电子束 溅射淀积的原理 利用高能粒子撞击固体表面，使表面离子（原子或分子）沉积到基片表面 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 Adsorption of silane Decomposition of silane surface migration Incorporation Desorption of hydrogen The deposited film Epi Or poly These deposited films are used when transistors are fabricated Epitaxy could be implemented either by using SEG or NSEG * * 多晶硅的掺杂 气固相扩散 离子注入 在淀积过程中加入掺杂气体（称为原位掺杂，in situ），与外延掺杂类似 多晶硅的氧化 多晶硅通常在900~1000 ℃范围内进行干氧氧化 未掺杂或轻掺杂多晶硅的氧化速率介於（111）和（100）单晶硅的氧化速率之间 掺磷多晶硅的氧化速率要比未掺杂（或轻掺杂）多晶硅的氧化速率快 * 薄膜淀积速率随温度上升而迅速增加 淀积速率随压强（硅烷分压）增加而增加 淀积参数的影响- 温度- 压强- 硅烷浓度- 掺杂剂浓度 * 多晶硅的淀积速率 通常不是硅烷浓度的线性函数 表面吸附的影响 一级反应线性关系 * 氧化硅的淀积方法 1）低温CVD（250~450?C） 可以同时掺杂，如：PH3，形成PSG磷硅玻璃： 硅烷为源的淀积——APCVD，LPCVD，PECVD 淀积温度低，可作为钝化层，密度小于热生长氧化硅，台阶覆盖差。 用HD-PECVD可以获得低温（120 ?C）的高质量氧化硅膜 也可以PECVD： P2O5和SiO2组成的二元玻璃网络体 应力小，流动性增加 碱金属离子的吸杂中心易吸水形成磷酸 * TEOS（正硅酸乙酯）为源的淀积 2）中温LPCVD（680~730?C） （1）不能淀积在Al层上（为什么？） （2）厚度均匀性好，台阶覆盖优良，SiO2膜质量较好 （3）加入PH3等可形成PSG TEOS也可采用PECVD低温淀积（250～425 ?C） —台阶覆盖优良，用于互连介质层 * 台阶覆盖（保角性 conformality） 淀积速率正比于气体分子到达角度 * PSG回流工艺可解决台阶覆盖问题 PSG回流工艺：将形成PSG的样品加热到1000 － 1100 ?C,使PSG软化流动，改善台阶形状 一般6~8