半导体器件原理题库.pptVIP

* * 集成电路工艺结构 尺寸缩小（等比缩小 scaling－down） 恒定电场原则，恒定电压原则，准恒电场原则 E/D NMOS CMOS 场区隔离 VTF 足够大，需要NA大，QB大；场区注硼 沟道注入 调VT LDD 结构， 减小热载流子问题 多晶硅 可用于布线，注意不能与有源区交叉 CMOS 的Latch－up 效应（闸流效应） 采用衬底外延，减小RS，侧向NPN管不能正偏 倒退阱，减小RW 保护环，伪收集极 沟槽隔离 * * 集成电路工艺结构 P-sub N+ N－well P+ VSS VDD P+ N+ RS1 RS2 RW2 RW1 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * 半导体器件原理 * * 提纲 半导体中的载流子及其运动 P-N结的特性 MOS晶体管工作原理及特性 MOS 晶体管电路基本结构单元及特性 硅平面工艺简介（E/D NMOS工艺结构介绍） * * 半导体中的载流子及其运动 硅单晶 正四面体，金刚石结构，晶体的性质与晶向有关，表面的性质与晶面有关 硅原子最小距离：0.235nm 晶格常数：0.543089nm * * 半导体中的载流子及分布 半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间 导体：ρ＜10-4Ωcm 绝缘体： ρ＞1010Ωcm 半导体： 10 -4 ＜ρ＜1010Ωcm 导电能力的决定因素 σ＝1/ρ＝nqμ n:载流子的浓度， 决定因素 q:载流子的电荷 μ:载流子的迁移率 （相差不大） * * 半导体中的载流子及分布 硅单晶导电性能 硅原子四个价电子，与周围四个原子各出一个电子形成共价键→每个原子周围八个电子→共价键晶体 热激发→价带电子跃迁到导带→载流子→晶体具有导电性 电子 空穴 Ec Ev 导带 价带 禁带宽度， Eg Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si * * 半导体中的载流子及分布 本征半导体中载流子及分布 电子空穴浓度相等 ni=n0=p0 =(NvNc)1/2 exp(-Eg/2kT) 常温下，硅半导体ni=1.5×1010cm-3 ρ＝2.3×105Ωcm 不能满足要求，需掺杂 施主、受主杂质 施主杂质，可给出一个电子→P,As 受主杂质，可接受一个电子→B 掺有施主杂质的半导体称为n型半导体， 掺有受主杂质的半导体称为p型半导体 * * 半导体中的载流子及分布 N、P型半导体杂质能级 N型半导体 P型半导体 ΔED=EC-ED ΔEA=EA-EV EC Ev ED Ei EFn EC Ev EA Ei EFp * * 半导体中的载流子及分布 载流子分布 ND大，EF 靠近EC，导带有较多的电子，价带基本填满，空穴很少。 NA大，EF越靠近EV，价带空穴多，很少有电子能跃入导带。 热平衡情况下 np＝ni2 f(E) EF E 0.5 1 * * 载流子在电场中的运动 载流子运动 热运动，无规则 电场下的漂移，散射，再加速的过程，平均速度为两次散射之间由电场加速所获得的定向速度。 迁移率 单位电场强度下载流子的漂移速度 影响因素： 有效质量、温度（散射）、杂质散射、 表面散射 * * 载流子在电场中的运动 非平衡载流子 产生原因 光照、热、电等 ，Δn＝n－n0 主要影响少数载流子 少子复合 多余载流子通过电子空穴复合趋于平衡（直接，间接，表面复合） 扩散 扩散长度 L=（Dτ）1/2 τ:少子寿命 D:扩散系数 EFN EV EC Δn Δp hν 光照产生非平衡少子 * * PN结特性 PN结形成 电子空穴浓度的巨大差异→扩散→留下离化施主和受主→形成空间电荷区→建立电场阻碍扩散→扩散与漂移达到平衡→统一的费米能级 EFn EC EV EC EV EFP PN结能带图 PN结空间电荷区 EF -qΦB N+ P ++++ --------- 内建电场 漂移电流 扩散电流 xdn xdp * * PN结中载流子的分布 空间电荷区内载流子浓度比起n、p区的多子浓度要小的多，好像耗尽了一样，故又称为耗尽区，可以认为载流子浓度很小，可以忽略，空间电荷区电荷密度等于离化施主/受主密度。 PN结内（热平衡）处处有 np＝ni2 n、p x xdn xdp nn0 pn0 np0 pp0