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一维平面扩散 反映了非平衡少子扩散能力的强弱 稳态扩散方程 稳态扩散时积累率等于复合率： 积累率 复合率 扩散定律 一维平面扩散 稳态扩散方程的解 ①样品足够厚 ②样品厚度为W，且在另一端全部抽出 空穴和电子扩散电流密度分别为： 爱因斯坦关系 爱因斯坦关系: 反映了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系 非均匀半导体(光注入非平衡载流子，存在外加电场)： 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 三、不同类型半导体载流子浓度与费米能级的关系 四、电中性方程 一、本征费米能级 * 第3章 半导体中载流子的统计分布 重要概念—— 状态密度；费米能级；费米（玻尔兹曼）分布；本征半导体；（非）简并半导体； 重要知识点—— 费米（玻尔兹曼）分布函数的形式与含义； 热平衡时载流子浓度及其乘积的表达式； 杂质半导体的载流子浓度（按不同温度范围）； 杂质半导体费米能级随温度的变化（n型为例）； 杂质半导体的电中性条件。 状态密度 gv(E)与(Ev-E)之间也呈抛物线性关系: gc(E)与(E-EC)之间有抛物线性关系： 能量越高，状态密度越大。 费米分布函数和费米能级 EF的位置比较直观的标志了电子占据量子态的状况，标志着电子填充能级的水平。 玻耳兹曼分布函数 导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数 EF位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离远大于koT 非 简 并 半 导 体 价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数 能带中的载流子浓度 热平衡状态下非简并半导体的载流子浓度 n0、p0之积 当温度一定时，对确定的半导体材料，其值是一定的。 半导体载流子浓度与费米能级 EF位于禁带中线 n0=p0 1、本征半导体 2、杂质半导体 N-type：EFEi; n0p0 P-type：EFEi; n0p0 N-type：随着掺杂浓度的增加，EF向EC靠近； p-type：随着掺杂浓度的增加，EF向EV靠近。 电中性方程 1、本征半导体： 2、只有施主的n型半导体： 3、只有受主的p型半导体： 4、同时有施主和受主的半导体： 电中性条件 本征半导体 本征半导体的载流子浓度与半导体本身的能带结构和温度有关。 杂质态上电子和空穴的分布规律 施主能级上未电离的施主杂质浓度（施主能级上的电子浓度）为 电离施主杂质浓度为 过渡区 导带电子来源于全部杂质电离和部分本征激发 强电离（饱和） 导带电子浓度等于施主浓度 高温本征激发区 n0ND p0ND 同上 中间电离 导带电子从施主电离产生 p0=0 n0= 弱电离 导带电子从施主电离产生 费米能级 载流子浓度 电中性条件 特征 杂质半导体的费米能级 ①在器件正常工作的温度范围内，n型半导体的EF位于Ei 之上ED之下的禁带中。 ②一定温度下，EF随ND的增大而趋向ED； ③掺杂一定时，EF随温度的升高而趋向Ei； 简并半导体 简并半导体与非简并半导体的区别： 非简并 杂质浓度适中 EF位于禁带内， 且与EV，EC的距离较远 玻耳兹曼分布 简并 杂质浓度很高 EF接近EV、EC ，甚至进入导带或价带 费米分布 简并化条件 发生简并化时的杂质浓度很高，重掺杂半导体。 在室温下，简并半导体中的杂质只有很少一部分电离。 第4章 半导体的导电性 重要概念—— 漂移、迁移率、载流子散射、平均自由时间。 重要知识点—— 漂移电流密度的表达式，电导率和迁移率的关系； 半导体的主要散射机构，散射概率和温度的关系； 载流子迁移率的决定因素（杂质浓度、温度）； 杂质半导体电阻率随温度的变化关系； 电导率为： 反应载流子在电场中漂移运动的难易程度 在相同的外电场作用下： 欧姆定律的微分形式 它反映了通过导体中某一点的电流密度与该处的电场强度及材料的电导率之间的关系。 散射 晶格周期性势场遭到破坏而存在附加势场。 2、散射的原因 3、主要散射机构 （1）电离杂质 （2）晶格振动 4、散射几率 单位时间内一个载流子受到散射的次数称为散射几率。 散射几率大，受散射的程度就强。 1、散射的机理 载流子发生不同状态（k）的跃迁。 电离杂质散射 Ni=（ND+NA） 晶格振动的散射 频率为 的一个格波，其能量是量子化的，即： 声子 把格波的能量子称为声子。 电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用，而且电子和声子的碰撞也遵守准动