半导体制造工艺流程题库.pptVIP

微处理器发展年表 发布年代 型号 晶体管数/个 特征尺寸um 1971 4004 2 250 8.0 1972 8008 3 000 8.0 1974 8080 4 500 6.0 1976 8085 7 000 4.0 1978 8086 29 000 4.0 1982 80286 134 000 1.5 1985 80386 275 000 1.5 1989 80486 1 200 000 1.0 1993 Pentium 3 100 000 0.8 1995 Pentium Pro 5 500 000 0.6 1997 Pentium II 7 500 000 0.35 1999 Pentium III 24 000 000 0.25 2000 Pentium IV 42 000 000 0.18 2002 Pentium IV 55 000 000 0.13 90纳米对半导体厂商来说，是更加尖端的技术领域，过去工艺都以“微米”做单位，微米(mm)是纳米(nm)的1000倍。我们常以工艺线宽来代表更先进的半导体技术，如0.25微米、0.18微米、0.13微米，0.13微米以下的更先进工艺则进入了纳米领域。 Best Wish For You 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * （Chemical Vapor eposition；） * CVD的反應机制主要可分為五個步驟：(1)在沈積室中導入气體，并混以稀釋用的惰性气體构成「主气流（mainstream）」；(2)主气流中反應气體原子或分子通過邊界層到達基板表面；(3)反應气體原子被「吸附（adsorbed）」在基板上；(4)吸附原子（adatoms）在基板表面移動，并且產生化學反應；(5)气態生成物被「吸解（desorbed）」，往外擴散通過邊界層進入主气流中，并由沈積室中被去除。 * atmospheric pressure CVD； low pressure CVD； plasma enhanced CVD； * Physical Vapor Deposition： * 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。2.适合高频使用。3.操作方便，可靠性高。4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 * Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用这种封装形式。 * * 铜制程技术 在传统铝金属导线无法突破瓶颈之情况下，经过多年的研究发展，铜导线已经开始成为半导体材料的主流，由于铜的电阻值比铝还小，因此可在较小的面积上承载较大的电流，让厂商得以生产速度更快、电路更密集，且效能可提升约30-40％的芯片。亦由于铜的抗电子迁移（电版移民）能力比铝好，因此可减轻其电移作用，提高芯片的可靠度。在半导体制程设备供货商中，只有应用材料公司能提供完整的铜制程全方位解决方案与技术，包括薄膜沉积、蚀刻、电化学电镀及化学机械研磨等。  半导体制造过程 後段（Back End） ---后工序 构装（Packaging）：IC構裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業應用上則以塑膠構裝為主。以塑膠構裝中打線接合為例，其步驟依序為晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、銲線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗（inspection）等。 测试制程（Initial Test and Final Test） 1 晶片切割（Die Saw） 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之 晶粒（die）切割分離。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲進行晶片切割，首先必須進行 晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後之晶粒井然有序排列於膠帶上，而框架的支撐避免了 膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。? 2黏晶（Die Bond） 黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導線架上並以銀膠（epoxy）黏著固定。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設 備送至彈匣（magazine）內，以送至下一製程進行銲線。 3銲線（Wire Bond