稳定性参考自偏压电路在温度与电晶体贝他.PPT

固定偏壓電路。 射極穩定偏壓電路。 集-射極迴路。 分壓器偏壓電路。 具有電壓回授的直流偏壓。 ICsat IC = VCC / RC VCE = 0 V VCEcutoff VCE = VCC IC = 0 mA 其中 RB 值是設定 IB值。 其中 IB 與負載線的交點 。 該 VCE 與IC是設定值。 近似電壓 VBE ? .7 V 矽電晶體 VCE ? VCC的25% 到 75% 利用歐姆表測試開路與短路情形。 測試焊接結合點。 利用電晶體測試器或曲線循跡器來測試電晶體。 注意負載或下一級對電晶體操作的影響。 * 第四章:BJT的直流偏壓 偏壓 偏壓是應用直流電壓加到電晶體而使其導通且能放大交流信號。 * 工作點 直流輸入以建立一操作或靜態點而稱為Q-點。 * 偏壓與操作的三種狀態 主動或線性區操作 基–射極接面是順偏壓。 基–集極接面是逆偏壓。 截止區操作 基–射極接面是逆偏壓。 飽和區操作 基–射極接面是順偏壓。 基–集極接面是順偏壓。 * 直流偏壓電路 * 固定偏壓電路 * 基-射極迴路 * 由科希荷夫電壓定理: 基極電流解得: +VCC – IBRB – VBE = 0 基-射極迴路 * 集極電流如下: 由克希荷夫電壓定理: 電晶體飽和準位 當電晶體是操作在飽和區而其導通區的最大電流會流過電晶體。 * 負載線分析 * Q-點為特定的操作點: 負載線的端點為: 電路值會影響 Q-點 請參閱書本有更多資料 * 射極穩定偏壓電路 增加電阻器 (RE) 於射極電路會穩定偏壓電路。 * 基-射極迴路 * 由克希荷夫電壓定理 : 因為 IE = (b + 1)IB: IB求解: 集-射極迴路 * 由克希荷夫電壓定理 : 因為 IE ? IC: 同時: 改進偏壓的穩定性 * 加上RE 於射極改進了電晶體的穩定性。 穩定性參考自偏壓電路在溫度與電晶體貝他(?)值的寬廣範圍而能夠使電流與電壓維持相當地定值。 飽和準位 VCEcutoff: ICsat: * 利用負載線可以決定終點值。 分壓器偏壓 此為非常穩定的偏壓電路。 電流與電壓幾乎與?的改變無關。 * 近似的分析 若在 IB I1 與 I2 且 I1 ? I2 : * 又bRE 10R2的情形 : 由客希荷夫電壓定理知: 分壓器偏壓分析 電晶體飽和準位 負載線分析 截止: 飽和: * 具有電壓回授的直流偏壓 改善偏壓電路穩定性的另外方法就是在集極到基極加上一回授路徑。 這種偏壓電路的Q點僅些微隨電晶體貝他(?)值而變。 * 基-射極迴路 * 由克希荷夫電壓定理知: 其中 IB IC: 已知 IC = ?IB 與 IE ? IC, 迴路方程式變成: 求解 IB: 集-射極迴路 應用克希荷夫電壓定理: IE + VCE + IC?RC – VCC = 0 由於 IC? ? IC 與 IC = ?IB: IC(RC + RE) + VCE – VCC =0 求解 VCE: VCE = VCC – IC(RC + RE) * 基-射極偏壓分析 電晶體飽和準位 負載線分析 截止 飽和 * 電晶體切換網路 電晶體僅外加直流電源可以使用作為電子開關。 * 切換電路計算 * 飽和電流: 為保證飽和: 在飽和與截止的射-集極電阻: 切換時間 電晶體切換時間: * 故障排除提示 * PNP 電晶體 對 pnp 電晶體偏壓電路的分析是相同於 npn 電晶體電路。 唯一的不同是電流以相反方向流動。 * *