周围)第02章_晶体三极管.pptVIP

* 需两个动画 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的 修正方程： 基宽WB越小?调制效应对IC影响越大?则?VA?越小。 ? 与IC的关系： IC 0 ? 在IC一定范围内?? 近似为常数。 IC过小?使IB??造成? ?。 IC过大?发射效率? ?造成? ?。 考虑上述因素，IB等量增加时， IC VCE 0 输出曲线不再等间隔平行上移。 * 截止区（ VBE? 0.5V， VCE ? 0.3V） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结反偏，集电结反偏。 IC ? 0，IB ? 0 近似为IB≤0以下区域 严格说，截止区应是IE = 0即IB = -ICBO以下的区域。 因为IB 在0 ? -ICBO时，仍满足 * 击穿区 特点： VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。 V(BR)CEO 集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。 注意： IB = 0时，击穿电压为V(BR)CEO IE = 0时，击穿电压为V(BR)CBO V(BR)CBO V(BR)CEO IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 IB = -ICBO (IE = 0) V(BR)CBO * 三极管安全工作区 IC VCE 0 V(BR)CEO IC