Fe_2O_3掺杂对ZnO_Pr_6O_11_系压敏电阻材料电学性能的影响.pdfVIP

第38 卷第8 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 38 ，No. 8 2 0 1 0 年 8 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY August ，2010 Fe O 掺杂对ZnO–Pr O 系压敏电阻材料电学性能的影响 2 3 6 11 1 1 1 1 2 2 臧延旭 ，彭志坚 ，王成彪 ，付志强 ，齐龙浩 ，苗赫濯 (1. 中国地质大学(北京)工程技术学院，北京 100083 ；2. 清华大学，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084) 摘 要：通过烧结法制备了Fe O 掺杂的ZnO–Pr O 压敏电阻材料，研究了Fe O 掺杂量对ZnO–Pr O 系压敏电阻材料电学性能的影响。实验表 2 3 6 11 2 3 6 11 明：当Fe O 掺杂量小于0.005% (摩尔分数，下同) 时，ZnO–Pr O 系压敏电阻材料的非线性系数和压敏电压随Fe O 掺杂量增大而逐渐提高。当Fe O 2 3 6 11 2 3 2 3 掺杂量为0.005%时，压敏电压达到最大值571 V/mm ，非线性系数达到最大值26 。当Fe O 掺杂量大于0.005%时，非线性系数和压敏电压均急剧下 2 3 降。过量Fe O 使ZnO 压敏电阻材料非线性下降的主要原因是：Fe 元素偏析在晶界处，提供额外载流子降低了晶界电阻率，同时晶界处PrFeO 相的 2 3 3 堆积会破坏晶界结构，从而影响压敏电阻材料的电学性能。 关键词：氧化锌；压敏电阻材料；氧化铁；掺杂；电学性能 中图分类号：TQ174.1+3 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2010)08–1406–05 INFLUENCE OF Fe O DOPING ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF ZnO–Pr O 2 3 6 11