ZVML和ZVMD陶瓷.docxVIP

新四元Zn-Mn-V-（La，Dy）陶瓷的准备和压敏特性Semiconductor Ceramics Lab., Department of Electrical Engineering, Dongeui University, Busan 614-714, Republic of KoreaReceived 20 April 2009; received in revised form 15 May 2009; accepted 12 June 2009Available online 7 July 2009引言经调查La和Dy掺杂影响ZVM（Zn-V-Mn）陶瓷的微观结构，非线性特性和其稳定性。四元ZVM掺La陶瓷和ZVM掺Dy陶瓷的微观结构一般由主相ZnO晶粒和二相Zn3（VO4）2组成。另外，四元ZVML和ZVMD陶瓷显示除了Zn3（VO4）2之外，还各自含LaVO4相和DyVO4相，其在液相烧结阶段起作用，因为它对烧结密度和平均晶粒尺寸有重大影响。La和Dy一起加入ZVM陶瓷将增加其击穿电压，并提高其非线性特性，非线性系数接近33。ZVML陶瓷表现出优越的稳定性，针对直流击穿电场变化加速老化应力是-9.7%。介绍纯ZnO烧结后显示欧姆特性，然而，掺少量金属氧化物的ZnO陶瓷显示非欧姆特性，微观方面，它们都是由n型ZnO晶粒半导体组成，晶粒边界被绝缘的晶隙围绕。电学上，它们显示高度非线性电压电流特性，与背对背的齐纳二极管相似，但能承担更大的电压和功率。因此，它们被称为压敏电阻，被广泛应在静电放电和大电流冲击方向。ZnO陶瓷没有添加大量大离子半径的元素不能显示非线性特性，比如Bi，Pr，Ba等。商业ZnO-Bi2O3陶瓷和ZnO-Pr6O11陶瓷不能和内置银电极在多层芯片部分共烧，因为相对较高的烧结温度。因此，新非线性陶瓷要求使用内置银电极。在多种陶瓷中，有一种达到要求的是二元ZnO-V2O5（ZV）陶瓷。这种ZV陶瓷在相对较低的温度（900℃附近）烧结。这对多层芯片部分来说是重要应用，因为它能和内置银电极共烧，不再需要使用昂贵的钯。这种ZV陶瓷已研究出加Mn的三元陶瓷，为了发展高性能ZVM陶瓷的非线性特性，理解新添加剂在非线性特性方面的性能很重要，La和Dy经常加到ZnO-Pr6O11陶瓷中去提升非线性效果，但没有报导La和Dy在ZVM陶瓷上的影响。这篇文章将报道掺La的ZVM陶瓷和掺Dy的ZVM陶瓷的微观结构，压敏特性和其稳定性，和一些新成果。实验程序2.1准备样品原材料试剂使用比例：98.75mol%ZnO,0.5mol%V2O5,0.5mol%Mn3O4和单独样品0.25mol%La2O3和Dy2O3。原材料经用氧化锆球和丙酮在聚乙烯瓶中球磨24h，混合物再在120 °C中干燥12h，并在750 °C中焙烧2小时，焙烧后的混合物经研钵磨成粉,再加PVA粘合剂，通过100目的筛，混合物筛成小颗粒，产生初始粉末。粉末经单向80mpa压力下压成直径10mm,2mm厚的薄片。薄片在1320 °C空气中烧结1小时，并在炉子中冷却至室温。加热和冷却速率都是4°C/min。烧结样品最终磨光成1.0mm，直径8mm的薄片。银膏涂在样品两面，通过在600°C下加热10min，形成银电极，直径5mm。 2.2微观分析样品两面都要在SiC纸上打磨，用Al2O3粉末擦亮成镜子般。磨光样品在室温下用1HClO4:1000H2O侵蚀40s。样品表面用少量Au处理以减少充电效果并提高图像分辨率。表面微观结构经扫描电子显微镜检测如图，平均晶粒尺寸（d）由线性截距确定，选中区域由EDX分析确定，那晶体状由XRD识别，烧结密度由阿基米德法测量。2.3用电压电流计测量样品的E–J特性，击穿电场（Eb）1.0mA/cm^2,漏电流(Jl)约0.8Eb。此外，非线性系数（a）由J=k*E^a确定（J是电流密度，E是电场强度）。在电流密度1.0-10mA/cm^2内，a = 1/(logE2-logE1),E1和E2分别是1.0和10mA/cm^2时的电压。2.4,C-V特性测量电容和电压特性用RLC仪器和静电计在1V，1kHz时测量。用函数（1/Cb-1/2Cbo）^2=2(Ub+Vgb)/qE的斜率和截距可分别确定ZnO晶粒中的施主密度（Nd）和晶界处的势垒高度（Ub)，其中Cb是晶界单位面积的电容，Cbo是当Vgb=0时的Cb,Vgb是每个晶界承受的电压，q是电子电荷，E是ZnO的介电常数。方程Nt= (2eNdUb/q)^1/2可确定晶界的界面态密度。一旦施主密度和势垒高度已知，晶界两旁的耗尽区宽度（t）,由Nd*t=Nt确定。因此La和Dy的添加有效减少了不规则晶粒生长。规则晶粒对压敏电阻器很重要，因为它阻挡了电流通过晶粒。ZVM，ZVML和Z