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第28 卷 第 1期 材 料 科 学 与 工 程 学 报 总第123期
Vol 2 8 No 1 J our nal of Mat erial s Science Engineering Feb . 2 0 10
文章编号 (2010)
利用 Mg 含量控制 Zn Mg O 薄膜压敏电阻器的阈值电压
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季振国 ,张春萍 ,冯丹丹 ,柯伟青 ,毛启楠
(1. 杭州电子科技大学电子信息学院 , 浙江 杭州 310018 ; 2 . 浙江大学硅材料国家重点实验室 , 浙江 杭州 310027)
【摘 要】 利用溶胶凝胶法制备了 Zn M g O 压敏薄膜 ,并通过 X 射线衍射 、X 射线能谱 、紫外
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- 可见光谱仪 、IV 特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征 。XRD 结果表明 ,掺 M g 后 Zn1 - x
M g O 薄膜仍然为六方纤锌矿 ZnO 晶体结构 ;紫外 - 可见吸收谱表明 ,随着薄膜中 M g 含量的增加 ,薄
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膜的吸收边蓝移 ,禁带宽度增加 。IV 特性曲线表明,基于 Al/ Zn M g O/ Si 结构的薄膜压敏电阻器
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的阈值电压随着 M g 含量的增加而增加 ,因此可以通过调节 M g 含量实现对 Zn M g O 薄膜压敏电阻
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器阈值电压的调节 。上述现象表明 ,Zn M g O 薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关 , 即
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与 Zn M g O 薄膜中电子的本征跃迁有关 。
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【关键词】 Zn M g O ; 薄膜压敏电阻器 ; M g 掺杂 ; 阈值电压
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