InGaAsAlGaAs应变量子阱激光器的可靠性.pdfVIP

　第 20 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 4　 V o l N o 　1999 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r 应变量子阱 InGaA s A lGaA s 激光器的可靠性 杨国文　徐俊英　徐遵图　张敬明　陈良惠 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　 利用分子束外延方法研制的 应变量子阱激光器外延材料制备了窄条 InGaA s A lGaA s 型脊型波导结构量子阱激光器件. 通过对其 50℃高温加速老化, 检测了器件的可靠性, 并对器 件中存在的三种典型退化行为, 即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究. : 4255 , 6170 , 7865 PACC P L 1　引言 掺铒光纤放大器(ED FA ) 在实现新一代超高速、超大容量和超强功能的光通讯网络中 将起非常重要的作用. 波长 980nm 的量子阱激光器由于其高的泵浦效率和低的噪声特 性[ 1, 2 ] , 使其成为 ED FA 十分理想的泵浦源. 在实际应用中人们十分关心的就是寿命问题, 因此研究和提高 980nm 应变量子阱激光器的可靠性是一个具有重要意义的研究课题. 应变量子阱激光器在开始出现时, 人们一直对其寿命问题持怀疑态度, InGaA s GaA s 因为有源发光区存在有很大的应力, 势必会造成激光器的严重退化. 但由于应用需求的促 进, 许多研究人员对 应变激光器的退化行为进行了细致的研究. 等 InGaA s GaA s Beern ink [ 3 ] 人 研究了量子阱厚度对激光器退化速率的影响, 发现当其厚度接近临界厚度时, 退化速率 加快, 因此应设法使量子阱的宽度远小于该组分时的临界厚度值. 以W aters 为代表的研究 [ 4 ] ( ) 小组 则发现由于 In 的晶格硬化作用使应变的 InGaA s 量子阱激光器中很少观察到 100 暗线缺陷( ) 的传播. 另外的研究还表明, 器件在低于 60 功率输出时, 可具有大于 DLD mW 5 [ 5 ] ( 10 的工作寿命 , 但在高功率 100 时, 则发现了端面突然发生光学灾变损伤 h mW