稀土氧化物Pr_2O_3掺杂对高压ZnO压敏电阻性能的影响_刘桂香.pdfVIP

复 合 材 料 学 报 A c t a M a t e r i a e C o m p o s i t a e S i n i c a 稀土氧化物 Pr O 掺杂对高压 ZnO 压敏电阻性能的影响 2 3 1 *1 1 2 1 刘桂香 ，徐光亮 ，罗庆平 ，查忠勇 ，马寒冰 (1. 四川省非金属复合与功能材料重点实验室–省部共建国家重点实验室培育基地 西南科技大学， 绵阳 621010 ；2. 后勤工 程学院 军事油料应用与管理工程系，重庆 40001) 摘要：采用低温固相化学反应法制备了 Pr O 掺杂的 ZnO 纳米复合粉体，并用此粉体在不同烧结温度下制 2 3 备了高压 ZnO 压敏电阻。采用 X 射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的 ZnO 纳米 复合粉体及高压 ZnO 压敏电阻进行了表征，并与未掺杂 ZnO 压敏电阻进行了对比研究，探讨了稀土氧化 物 Pr O 掺杂对高压 ZnO 压敏电阻电性能的影响机制。结果表明：在较低的烧结温度（1030℃～1130℃） 2 3 时，掺杂稀土氧化物 Pr O 偏析于 ZnO 晶界中，有活化晶界、促使晶粒生长的作用，同时，Pr O 掺杂导 2 3 2 3 致 1080℃烧结的ZnO 压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构，比未掺杂的更均匀和致密, 这有助于高压 ZnO 压敏电阻晶界性能的改善，从而提高其综合电性能。当烧结温度为 1080℃时，Pr O 掺杂的高压 ZnO 2 3 压敏电阻的综合电性能最佳：电位梯度为 864.39 V/mm, 非线性系数为 28.75，漏电流为 35 µA。 关键词：掺杂；Pr O ；ZnO 压敏陶瓷；电性能 2 3 中图分类号：TB34 文献标识码：A Effects of Pr O doping on the electric properities of the high-voltage ZnO varistor 2 3 1 1 1 2 1 Liu Guixiang , Xu Guangliang* , Luo Qingping, , Zha Zhongyong ,Ma Hanbing (1. State Key Laboratory Cultivation Base for Nonmetal Composite and Functional Materials, South