第3讲通信用光器3.1光源.pptVIP

第 3 章 通信用光器件 3.1光源 图 3.10典型半导体激光器的光功率特性 (a) 短波长AlGaAs/GaAs; (b) 长波长InGaAsP/InP 式中，fr和ξ分别称为弛豫频率和阻尼因子，Ith和I0分别为阈值电流和偏置电流；I′是零增益电流，高掺杂浓度的LD， I′=0， 低掺杂浓度的LD, I′=(0.7~0.8)Ith；τsp为有源区内的电子寿命，τph为谐振腔内的光子寿命。 图3.11示出半导体激光器的直接调制频率特性。弛豫频率fr是调制频率的上限，一般激光器的fr为1~2 GHz。在接近fr处，数字调制要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非线性失真。 图 3.11 半导体激光器的直接调制频率特性 5. 温度特性 对于线性良好的激光器，输出光功率特性如式(3.7b)和图3.10所示。激光器输出光功率随温度而变化有两个原因： 一是激光器的阈值电流Ith随温度升高而增大，二是外微分量子效率ηd随温度升高而减小。温度升高时，Ith增大，ηd减小， 输出光功率明显下降，达到一定温度时，激光器就不激射了当以直流电流驱动激光器时，阈值电流随温度的变化更加严重。当对激光器进行脉冲调制时，阈值电流随温度呈指数变化，在一定温度范围内，可以表示为