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还原气氛对表面层陶瓷电容器介电性能的影响钟朝位
第2 5 卷第6 期 压 电 与 声 光 . 25 . 6
V o l N o
2003年12月 . 2003
P IEZO EL ECTR IC S A COU STOO P T IC S D ec
文章编号:(2003)
还原气氛对表面层陶瓷电容器介电性能的影响
1 1 2 2
钟朝位 , 张树人 , 李应中 , 王婷婷
( 1 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 6 10054; 2 成都宏明电子科大 新材料有限公司, 成都 6 10058)
摘 要: 在材料组成、烧结工艺不变的情况下, 系统研究了还原气氛对 5 、 5 、 5 型表面层半导体陶瓷电
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容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明, 半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气
氛, 无论是 5 、 5 还是 5 瓷片均有类似的变化规律。氧分压降低, 电容器的电容量温度变化率 变小,
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当 ∶ 比例大于 20 ∶100 时, 瓷片的 不再变化, 大约为空气烧结瓷片 的88% 。在不改变瓷料组成、
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烧结温度的情况下, 通过还原气氛的适当控制, 可改善 5 、 5 、 5 型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特
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性, 而其他介电性能基本不变。
关键词: B aT iO 3; 电容器; 半导体陶瓷; 表面层
中图分类号: TM 534 文献标识码: A
The In f luen ce of Reduc in g A tm o sphere on E lectr ic Propert ie s
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of Sem i con duct in g Ceram ic Capac itor s
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