模拟集成电路设计器件物理.pptVIP

* * * 器件关断时，CGD=CGS=CovW， CGB由氧化层电容和耗尽区电容串连得到 深三极管区时，VD?VS， 饱和区时， 在三极管区和饱和区，CGB通常可以被忽略。 在电路分析中我们关心器件各个端口的等效电容： 大信号和小信号模型 大信号模型 用于描述器件整体的电压-电流关系，通常为非线性 小信号模型 如果在静态工作点（偏置）上叠加变化的信号（交流信号），其幅度“足够小”，则可以用线性化的模型去近似描述器件，这种线性化模型就是小信号模型。 * 2.5 MOS小信号模型 * * 小信号参数： * MOS管的完整小信号模型 对于手算，模型不是越复杂越好。 能提供合适的精度即可 * MOS SPICE模型 模型精度决定电路仿真精度 最简单的模型——Level 1，0.5?m 适于手算 NMOS VS PMOS 在大多数工艺中，NMOS管性能比PMOS管好 迁移率4：1，高电流驱动能力，高跨导 相同尺寸和偏置电流时，NMOS管rO大，更接近理想电流源，能提供更高的电压增益 对Nwell 工艺，用PMOS管可消除体效应 独占一个阱，可以有不同的体电位 * NMOS管与PMOS管工艺参数的比较 * 长沟道器件和短沟道器件 前面的分析是针对长沟道器件（4?m以上）而言 对短沟道器件而言，关系式必须修正 用简单模型手算，建立直觉；用复杂模型仿真，得到精确结果。 * MO