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新型检测课件3 - 磁性
《过程参数新型检测技术》;;;基于金属材料的霍尔效应,将磁场的变化
转化为霍尔电势.; 新材料、原理、技术的开发产品.
磁敏传感器发展很快,目前一方面向薄膜化、
微型化和集成化发展,另一方面向多功能化展.
(如:在一个半导体磁敏元件上再制做一个PN结温敏元件,
构成磁敏、温敏多功能传感器). ; 霍尔式磁敏传感器基于金属的霍尔效应,
将磁场变化→霍尔电势.; 在磁场B中垂直地放置一N型半导体薄片,
当两相对端通以控制电流I时,片内电子沿着
与电流相反方向运动;; UH与I、B成正比.KH-霍尔常数,由材料的
性质及几何尺寸决定.金属半导体材料比导体
的KH大,故一般采用半导体做霍尔元件.;二、霍尔元件的主要指标及补偿方法;二、霍尔元件的主要指标及补偿方法;? 霍尔电压温度系数β
在一定磁感应强度B和控制电流I作用下,温度
每变化1℃时,元件输出电压UH的相对变化值.
单位:%/℃.; 霍尔元件为四端元件,两对侧加工作电流,另两对侧
输出电势, 可等效为一四臂电桥, 不等位电势可看成
桥路不平衡电势.采用外加调整电阻的方法进行补偿.;(2)温度特性补偿方法; E本身是恒流源或在恒压源供电的
电路中,串入一比输入电阻大得多的
电阻R.对元件相当于恒流源供电,则
在输入电阻随温度变化时,控制电流
变化极小.;2)输入端恒流供电情况下,对输出电压随温度变化的
补偿方法 ;三、霍尔式磁敏传感器结构及性能;Ge(锗)霍尔器件:是研制较早的一种霍尔器件.霍尔系数KH较大
(灵敏度高),在输入控制电流I较小情况,可得到较大的输出.; 霍尔
集成
电路型; SL
3501T;(2)开关型霍尔集成电路
输出电压在外磁场B达到一定值时产生
跳变.(输出为高、低电平);一、磁阻效应及原理;第三章 §3 磁敏电阻传感器;●;二、磁敏电阻的主要技术指标;☆磁敏电阻主要结构; 在B=0.3T~1.0T内线性较好,适于测量强磁场,
弱磁场平方特性.利用该元件可制成位移和压力等
各种类型的接近开关.;H;a;一、基本原理;;二、结型磁敏传感器结构及性能;三、主要技术特性(与其它磁敏元件比较);;设器件外加磁场为Hz,内芯矫顽力磁场为Hc,外层磁场为Ho.
当HzHo时:器件内芯和外层按同一方向被磁化.
当Hz去掉后,外层磁场Ho使内芯磁化方向反转. ;二、韦甘德磁敏传感器结构及特性;二、韦甘德磁敏传感器结构及特性;一、霍尔式传感器的应用;;;;? 压力敏感元件--弹簧管,P→位移.
? 霍尔元件固定在弹簧管的自由端,
放置在两对称磁场中央(线位移).
初始P=0时:元件输出UH=0
P作用时→弹簧管自由端位移→UH;? 与振子式直-交流变换器比较其特点
优点:频带宽、线性好、无机械噪声、耐用、寿命长.
缺点:输入阻抗低,只有几百欧姆.;5.霍尔乘法器;6.霍尔转速传感器; 利用霍尔元件和电磁感应原理.
在不切断电路的情况下,测量通过
导线的电流.;? 振动测量
输出UH:频率同振动台振动频率
幅值(经校正)为振动幅值;A; 将磁钢固定在旋转体上,随之转动,与磁敏电阻
重合一次,电路输出一个脉冲.转数→单位时间内
的脉冲数. ;2.磁敏电阻线位移传感器;1.转速测量 ;2.钳式电流计;4.磁敏(集成)固体传感器的检测电路简介;1.齿轮旋转体转速的测量;2.韦甘德器件用于波形整形;第三章 磁敏传感器 课程小结;一、磁阻效应及原理;一、韦甘德磁敏器件原理
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