极和MOS晶体管.pptVIP

正常放大时外加偏置电压的要求 问题：如果是P沟道，直流偏置应如何加？ * 栅源电压VGS对iD的控制作用 VGSVTN时（ VTN 称为开启电压) VGS＞VTN时(形成反型层) 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 0＜VGS＜VTN时，SiO2中产生一垂直于表面的电场，P型表面上感应出现许多电子，但电子数量有限,不能形成沟道。 当VGS＞VTN时，由于此时栅压较强，P型半导体表层中将聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极连通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。 * VGS＞VT后,外加的VDS较小时， ID将随着VDS的增加而增大。 当VDS继续增加时，由于沟道电阻的存在，沟道上将产生压降，使得电位从漏极到源极逐渐减小，从而使得SiO2层上的有效栅压从漏极到源极增大，反型层中的电子也将从源极到漏极逐渐减小。 当VDS大于一定值后， SiO2层上的有效栅压小于形成反型层所需的开启电压，则靠近漏端的反型层厚度减为零，出现沟道夹断， ID将不再随VDS的增大而增大，趋于一饱和值。 * iD=f(vGS)?VDS=const 输入电压与输出电流间的关系曲线，对于共源电路，即： * 输出特性曲线 输出电压与输出电流间的关系曲线，对于共源电路，即： iD=f(vDS)?VGS=const * VGS(th) = 3V VDS = 5 V 　　转移特性曲线反映 VDS 为常数时，VGS 对 ID 的控制作用，可由输出特性转换得到。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 4.5 V VDS = 5 V ID/mA VGS /V O 1 2 3 4 5 　　转移特性曲线中，ID = 0 时对应的 VGS 值，即开启电压 VGS(th) 。 * NEMOS 管输出特性曲线 非饱和区 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。 当 VGS为常数时，VDS??ID 近似线性?，表现为一种电阻特性； 当 VDS为常数时，VGS ??ID ?，表现出一种压控电阻的特性。 沟道预夹断前对应的工作区。 条件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 因此，非饱和区又称为可变电阻区。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 4.5 V * 数学模型： 此时 MOS 管可看成阻值受 VGS 控制的线性电阻器： 　　VDS 很小 MOS 管工作在非饱和区时，ID 与 VDS 之间呈线性关系： 其中，W、l 为沟道的宽度和长度。 　　COX (= ? / ?OX , SiO2 层介电常数与厚度有关)为单位面积的栅极电容量。 注意：非饱和区相当于三极管的饱和区。 * 饱和区 特点： 　　ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关，表现出类似三极管的正向受控作用。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 4.5 V 沟道预夹断后对应的工作区。 条件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 　　考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS 的增加略有上翘。 注意：饱和区(又称有源区)对应三极管的放大区。 * 数学模型： 若考虑沟道长度调制效应，则 ID 的修正方程： 　　工作在饱和区时，MOS 管的正向受控作用，服从平方律关系式： 其中，? 称沟道长度调制系数，其值与 l 有关。 通常 ? = (0.005 ~ 0.03 )V-1 * 截止区 特点： 相当于 MOS 管三个电极断开。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 4.5 V 沟道未形成时的工作区 条件： VGS VGS(th) ID = 0 以下的工作区域。 IG ? 0，ID ? 0 击穿区 VDS 增大到一定值时?漏衬 PN 结雪崩击穿 ? ID 剧增。 VDS?? 沟道 l ? ? 对于 l 较小的 MOS 管 ? 穿通击穿。 * 　　由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中将产生很大的电压 VGS(= Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS 管永久性损坏。 MOS 管保护措施： 分立的 MOS 管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS 集成电路： T D2 D1 D1、D2 一方面限制 VGS 间最大电压，同时对感生电荷起旁路作用。 * 结构示意图 转