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第二节 核外电子排布和元素周期律2
;一、屏蔽效应和钻穿效应
(一)屏蔽效应
1.屏蔽效应
多电子原子中,其他电子对指定电子的排斥作用看作部分地抵消(或削弱)核电荷对该电子的吸引, 即其他电子起到了部分地屏蔽核电荷对某电子的吸引力,而该电子只受到“有效核电荷”Z*的作用。
; Z* = Z - ? ? :屏蔽常数,; 换个角度考虑:将研究电子之外的原子其余部分, 均视为原子核,则将复杂的多原子体系简化为单电子体系:
说明: 相当于内层电子抵消或中和掉部分正电荷, 使被讨论的电子受核的吸引下降, 离核更远, 能量更高, 即为内层电子对外层电子的屏蔽作用. 屏蔽效应越大, 受屏蔽的电子的能量越高, 是电子远离核的作用.;※不同电子所受的屏蔽作用不同. 其大小与角量子数 l 有关:
※ l 大的电子, 受屏蔽大, 能量高;
※ l 小的电子, 受屏蔽小, 能量升高的幅度小.
※ 对于运动状态不同的电子, 或 n 相同, l不
同的原子轨道, 有:;2.屏蔽常数的计算(Slater)规则:
(1)分组:按以下次序(1s) ,(2s,2p),
(3s,3p),(3d),(4s, 4p),(4d),(4f),
(5s, 5p),(5d),(5f)
(2)每一小组右边各组的电子对该组电子不产生屏蔽作用。
;(3) 在(ns,np)同组中,每一个电子屏蔽同
组电子为0.35,而1s组内的电子相互屏蔽
0.30。
(4) 内层(n-1)层中每一个电子对外层
(ns, np)上电子屏蔽为0.85。
(5) 更内层的(n-2)层中每一个电子对外层
(ns, np)上电子屏蔽为1.00。
; (6) 当被屏蔽电子是(nd)组或(nf)组电子
时,同组电子屏蔽为0.35,左边各组电子
屏为1.00。
在计算某原子中某个电子的?值时,可将有关
屏蔽电子对该电子的?值相加而得。
例:计算铝原子中其它电子对一个3P电子的?
值,其Z* =?
解:按斯来特规则分组
(1S)2(2S,2P)8( 3S,3P)3
; ? = 0.35×2 + 0.85 ×8 + 1.00 ×2 = 9.50
Z* = Z – ? = 13–9.50 = 3.5
思考题:
1、 分别计算Sc的一个3S电子和一个3d电子的? 值?
2、试比较钾原子的最后一个电子填充在3d轨道和4S轨道上的能量。
;(二)钻穿效应
1.钻穿效应
n 相同,l 不同的轨道,由于电子云径向分布不同,电子穿过内层到达核附近以回避其他电子屏蔽的能力不同,而使电子具有不同的能量,这种由于s,p,d,f 轨道径向分布不同而引起的能量效应。(penetrating effect)。
; 意义: 电子钻入内部, 靠近核的作用(使自身
能量下降) 可以从径向分布函数图加以解释:
;可以看出:
l 大的,钻穿效应小, 远离核, 能量升高。
l 大的, 屏蔽效应大, 远离核, 能量升高。
相反:
l 小的,钻穿效应大, 靠近核, 能量下降。
l小的, 屏蔽效应小, 靠近核, 能量下降.
亦即:
n 相同, l小的电子, 在离核近处, 有小的
; 几率峰出现, 相当于电子靠近核, 受核作用强, 同时回避了内层电子的屏蔽作用, 自身能量下降. 这种效应称为钻穿效应。
可以用钻穿效应解释能级分裂, 即同一
能级组(n 相同), l 大的电子能量高,
l 小的电子可以钻入内部, 自身能量降低, 产生能级分裂。总之, 屏蔽效应使电子的能量上升, 钻穿效应使电子能降低。
; 入内部, 自身能量降低, 产生能级分裂。总之, 屏蔽效应使电子的能量上升, 钻穿效应使电子能降低。
※对于多电子原子体系, 能量高低由什么因素决定?由 n 和 l 同时决定: ※ l 相同, n 大的能量高, 即 E2s E3s E4s, 因为依次受屏蔽作用增大, Z* 依次下降, 所以能量依次升高。
;※ n 相同, l 大的能量高, E3s E3p E3d, 因为依次受屏蔽作用增大, 自身钻穿作用依次减小, 均使能量升高。
※ n 和 l 均不同, 则 n+0.7l 大的,能量高(北大徐光宪先生提出的).
如: 4s 3d 4 + 0.7 X 0 = 4 3 + 0.7 X 2 = 4.4
; 所以, E3d E4s 此种现象在 21 号元素 Sc 的左右发生, 称为能级交错(外层轨道的能量反而比内层轨道能量低的现象)
可用径向分布图解释:
; 2.能级交错:
钻穿越深的电子对其他电子的屏蔽越大
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