朱玉满等2003_材料科学与工程学报.pdfVIP

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2017-08-14 发布于天津
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朱玉满等2003_材料科学与工程学报.pdf

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第2 1卷　第5 期材　料　科　学　与　工　程　学　报总第8 5 期 Vol 2 1 　No 5 Journal of Materials Science Engineering Oct . 2 0 0 3 文章编号 :1004793X( 2003) β FeSi Si 薄膜位向关系的计算 2 朱玉满 ,张文征 ,叶　飞 ( 清华大学材料系 , 北京　100084) Δ β 　　【摘　要】　利用从固态相变产生的沉淀相惯习面总结出的 g 平行法则 ,计算了 FeSi2 半导体薄膜和 Si 基体之间可能的择优取向关系。根据界面匹配和结构的分析 ,建议最优衬底基面的晶体学位向。预测的界面是一个无理面 ,含有原子尺度台阶 ,晶格间具有良好匹配关系。以该界面位向作为 Si 衬底的基面有可能导致高质量金属硅化物β 薄膜的生长。 FeSi2 Δ β 【关键词】　取向关系 ;界面结构 ; g 平行法则 ;CCSL 模型 ; FeSi2 薄膜 ;Si 衬底中图分类号 :TB43 ,O76 　　　　文献标识码 :A β Study of Orientation Relationship bet ween FeSi2 Thin Film and Si Substrate ZHU Yuman , ZHANG Wenzheng , Y E Fei ( Department of Materials Science and Engineering , Tsinghua University , Beijing 　100084 , China) β 【Abstract 】　A possible optimum orientation relationship between the FeSi2 film and Si substrate is determined according to the Δ third g parallelism rule ,and a CCSL model . The predicted interface exhibits a good lattice matching ,containing a secondary invariant line lying in an irrational orientation of [2 2929 ]Si . The corresponding interface (2911 1) Si ,which defines the plane of Si substrate ,must contain step s. This interface may con