第四章 半导体的导电性e.pptVIP

Hall迁移率μH和电导迁移率μ的比较 3、?? 两种载流子的霍耳效应 两种载流子同时存在 霍尔效应 ？ （1）三种横向电流： 空穴在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 电子在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 电子和空穴在y方向霍尔场作用下形成的电流 －y方向 （2）推导RH表达式 +y方向 （3）RH与T的关系 1/T RH (－) ②p型半导体 杂质电离区 p ＞ nb2 RH ＞ 0 饱和电离区 过渡区 T↑, p-nb2↓ 但 p-nb2 0，RH 0 当 nb2=p 时， RH＝0 T进一步↑， nb2p，RH0 但nb2↑，|RH|↑ 当 时，RH达到负的最大值 1/T RH (+) (+) (－) (－) 本征区 ③n 型半导体 饱和区 温度再升高，少子浓度升高 无论温度多高，RH 始终小于0，并且随T 升高，始终下降。 1/T RH (－) (－) 1-轻掺杂n型 2-较强掺杂n型 3-较轻掺杂p型 4-较强掺杂p型 ND或NA升高，RH下降，RH～T 变化规律一样 4、 霍耳效应的应用 得到半导体材料的重要物理性质: ?导电类型; ?载流子浓度 (掺杂浓度, 杂质电离能, 能隙宽度); ?讨论散射机理: Hall迁移率μH和电导迁移率μ的比较 Hall器件: VH = RHIXBZ / d Hall器件: InSb 薄膜 Hall 器件输出特性 * * 我们在这一章中除了强电场效应这一节内容，其他内容都是基于以下三个假设： 半导体样品上的温度处处相等都是均匀的，没有温度梯度存在； 为了改善半导体材料的性质，我们所使用的半导体并不是本征半导体，往往掺入其他元素。在这里我们认为样品是均匀掺杂的。 半导体材料所处的电场是弱电场。一般这个电场是不是弱场的标准是看是不是小于10的三次方。 通过以上三个假设，我们讨论起来就比较容易，物理模型更加清楚。当然在现实中，这样理想的样品从严格的意义上讲，我们并不能得到。但是可以近似地认为样品就是这样理想化的。如果想再进一步分析，就可以在理想结果的基础上再进行修正得到更加接近真实的规律结果。 * 下面我们来学习第一节载流子的漂移运动。在这一节里我们先看载流子在有电场和没有电场存在不同的运动方式，引出重要的概念迁移率，然后将欧姆定律和迁移率联系起来，从而将宏观的导电现象与微观的载流子联系起来。 * 下面我们来学习欧姆定律的新的表达形式。我们所熟悉的是导体中电压与电阻的比值是电流。欧姆定律的这个形式不能说明导体内部各处电流的分布情况。但是在半导体中经常有电流分布不均匀的情况，流过不同截面的电流强度不一定相同。因此我们用电流强度来从新写欧姆定律。就是电流强度等于电导率和电场强度的乘积。这种形式又被称为欧姆定律的微分形式。 * * 面我们来看载流子的运动。在没有施加外在电场的时候，半导体是没有电流的。在半导体内部载流子在做无规则的热运动。载流子不断的碰撞，散射，散射后又向各个方向运动。如果我们给它足够的时间，载流子向各个方向都运动，那么叠加起来，它实际上并没有离开原来的位置多远。在半导体中就没有形成载流子流，从而没有电流。 * 在施加电场后，在每次被散射后虽然载流子的运动方向还是不定的，但是在两次碰撞中间的飞行中，载流子受到电场力F，这样总的效果是，载流子在电场力的作用下作定向运动，这就是漂移运动，从而半导体中出现了载流子流，有电流产生。 * 单位时间载流子从电场中获得的能量同给与晶格的能量相同 稳定后， 解方程得到： ① 取一级近似，通常可认为Te=T—暖电子 ② ③ 漂移速度vd按E1/2增大 ④电场强度进一步增大，电子能量和光学波声子可以相比 与电场E无关 在强电场下： 载流子的平均能量热平衡状态时的 载流子和晶格系统不再处于热平衡状态 载流子温度Te 晶格温度T 强电场下,载流子的平均动能显著超过 热平衡时的平均动能—热载流子(有效温度Te). 电场不是很强时： 载流子 声学波散射 电场进一步增强后： 载流子 发射光学波声子 3、多能谷散射 材料(例如GaAs)的导带最低能谷以上适当的地方存在卫星能谷。 下能谷的有效质量比上能谷的小得多, 从而下能谷的电子迁移率比上能谷的大得多。(下能谷的状态密度也比上能谷的小得多) 当温度不太高, 电场不太强时,导带电子大部分位于下能谷。 当样品中的电场足够强, 发生能谷间的散射 (不等价能谷间的电子转移