2-4半导体的导电性.pptVIP

2. 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 平均自由时间 加速度 电子迁移率大于空穴迁移率 电导率 3. 迁移率与杂质和温度的关系 由不同散射机构的概率与温度的关系: 电离杂质散射: 声学波散射: 光学波散射: 得到不同散射机构的平均自由时间与温度的关系: 电离杂质散射: 声学波散射: 光学波散射: 同时有许多散射机构存在时,要找出起主要作用的散射机构,迁移率主要由这种机构决定. 不同散射机构的迁移率与温度的关系: 电离杂质散射: 声学波散射: 光学波散射: 对掺杂的锗、硅等半导体，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射。砷化镓中，光学波散射也很重要。 当杂质浓度很小时： 迁移率随温度升高而迅速减小。以晶格振动散射为主 当杂质浓度很高时： 低温：迁移率随温度升高而缓慢上升。杂质散射起主要作用 高温：下降。以晶格振动散射为主。 这是Ge在300K下的电子迁移率和空穴迁移率示意图 电子迁移率 空穴迁移率 杂质浓度增大时，迁移率下降。也就是说，晶格振动不变时，杂质越多，散射越强，迁移率越小。 §4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系Temperature Dependence of Resitivity and Impurity Concentration 根据电阻率 得到： 由于载流子浓度和迁移率都与杂质浓度和温度有关，所以半导体电阻率也随杂质浓度和温度而变化。 2.电阻率随温度的变化 本征半导体电阻率随着温度增加而单调地下降，这是半导体区别于金属的一个重要特征。 (2.2)杂质半导体 杂质离化区 过渡区 高温本征激发区 电离杂质散射: 声学波散射: 电离杂质散射为主 晶格振动散射为主 本征激发影响为主 §4.5 波尔兹曼方程 电导率的统计理论Boltzmann Equation,Theory of Resitivity 重点：分布函数f满足的方程 * 第四章 半导体的导电性Electrical conduction of semiconductors 重点： ? 迁移率(Mobility) ? 散射(Scattering mechanisms) ——影响迁移率的本质因素 ? 弱电场下电导率的统计理论 前几章介绍和讨论了半导体的一些基本概念和载流子的统计分布 本章主要讨论载流子在外加电场作用下的漂移运动 §4.1 载流子的漂移运动 迁移率The drift motion of Carrier,Mobility 漂移运动 扩散运动 迁移率 重 点 1.欧姆定律 金属导体中的电流强度: 是导体的电阻。 是导体的电阻率，其倒数就是电导率： 电流密度是指通过垂直于电流方向的单位面积的电流： 对均匀导体： 均匀导体，两端加电压后，导体内部各处建立起电场，电场强度大小 得到： 上式把导体中某一点的电流密度和该处的电导率及电场强度直接联系起来，称为欧姆定律的微分形式。 2. 漂移速度和迁移率 有外加电压时,导体内部的自由电子受到电场力的作用,沿电场反方向作定向运动形成电流. 漂移运动: 电子在电场力作用下的定向运动 漂移速度: 定向运动的速度. :电子的平均漂移速度 电流密度 为电子浓度 是电子电量 电场强度增大时,电流密度增大,因此平均漂移速度也增大,可写为: 称为电子的迁移率.表示单位场强下电子的平均迁移速度. 一般应和电场强度反向,但习惯上迁移率只取正值 又因为: 得: 这就是电导率与迁移率间的关系. 3、半导体的电导率和迁移率 漂移运动 半导体中的载流子加上外电场E后作定向运动，即漂移运动。 假设讨论的是n型半导体，电子浓度为n0，在外电场下通过半导体的电流密度 表征了在单位电场下载流子的 平均漂移速度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数。 迁移率 同理，对p型半导体 对一般半导体 对本征半导体 §4.2 载 流 子 的 散 射The Scattering of Carriers KEY 散射 使迁移率减小 散射机构 即各种散射因素 1、载流子散射 （1）载流子的热运动 在一定温度下,半导体内的大量载流子,即使没有电场作用,也是运动着的,这种运动是无规则、杂乱无章的，称为热运动。宏观上没有沿着一定方向流动，所以并不构成电流。 载流子在半导体中运动时，不断与晶格原子或杂质离子碰撞，速度大小和方向发生变化。或者说电子遭到散射。无规则热运动是不断遭到散射的结果。 自由程：相邻两次散射之间自由运动的路程。 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程。 （2）、载流子的漂移运动 (严格周期势场中)载流子在电场作用下不断加速，