afors-het软件模拟n型非晶硅p型晶体硅异质结太阳电池 simulation of heterojuntion solar cell with afors-het.pdfVIP

第29卷第2期 V01．29，No．2 2006年2月 Feb．．2008 晶体硅异质结太阳电池 任丙彦1，王敏花1’2，刘晓平1’2，李彦林1，羊建坤1， 励旭东2，许 颖2，李海玲3，王文静3 (1．河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130；2．北京太阳能研究所光电室，北京100083； 3．中国科学院电工研究所，北京100080) 摘要：运用AFORS-HEF程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度 等参数对N型非晶硅，p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明，在其它参数条件不变的情况下，插 入较薄本征层，转换效率增加，但本征层厚度继续增加时，短路电流密度减少、效率也随之降低。本征层能隙宽度 的变化对短路电流影响很大，随能隙宽度增加，短路电流先增加，但当能隙宽度大于某一特定值时，短路电流开始 下降。在不插入本征层的情况下，N型发射层的能带失配对短路电流几乎无影响，而开路电压随导带失配的增大 逐渐增大，界面态密度会导致开压迅速下降。 关键词：AFOR$-HEF；异质结太阳电池；光伏性能 中图分类号：TN305．99文献标识码：A 法很多，通常都是通过数值求解Poisson方程来对太 0 引 言 阳电池进行数值分析，林鸿生等1通过应用Scharfet． 氢化非晶硅(a—Si：H)太阳电池生产工艺温度较 低(400℃以下)、便于大规模生产，因而受到普遍重 异质结太阳电池进行了数值模拟分析，然而求解计 视并得到迅速发展[1。J。但其光致退化问题始终没 有得到很好的解决，同时其光电转换效率还有待进 tomatforsimulationof 一步提高。一条可行的途径是用宽带隙的a．Si：H太阳电池模拟计算大大简化，同时提高了精确度。 层作为窗口层或发射极，单晶硅、多晶硅片作衬底， 形成所谓的异质结太阳电池【4’5J。这种电池利用薄 异质结构太阳电池的数值模拟软件，可以自由建立 膜制造工艺优势的同时又发挥了晶体硅和非晶硅材 合适的异质结构模型，精确度高。ConradE等【9】通 料性能的特点，具有实现高效低成本硅太阳电池的 过AFORS-I-IET软件模拟计算了非晶硅／晶体硅异质 发展前景。 结太阳电池中界面缺陷对太阳电池性能的影响，并 我们知道异质结太阳电池界面对太阳电池性能 在模拟计算指导下通过实验制备了19．8％的高效率 影响很大，文献[6]插入本征层之后，改善了蓝波段 非晶硅／晶体硅异质结太阳电池。 光谱响应，大大提高了短路电流，从而提高太阳电池 本文采用AFORS-HET软件模拟计算不同本征 的转换效率。为了找到异质结太阳电池可以获得高 层厚度、能隙宽度、能带失配以及不同界面态密度的 效率的理论根据，同时也为了指导实验提高异质结 异质结太阳电池的性能为具体实验提供理论依据。 太阳电池的转换效率，我们需要对异质结太阳电池 进行数值模拟计算。对太阳电池进行模拟计算的方 收稿日期：2006-10-04 基金项目：河北省自然科学基金(F2005000Cr73) 通讯作者：任丙彦(1946一)，男，教授，主要从事太阳电池方面的研究。tj,by@sohn．㈣ 万方数据万方数据