4h-sic 材料在紫外波段吸收系数的分析研究 - 厦门大学学术典藏库.pdf

第27 卷, 第4 期 光　谱　实　验　室 Vol . 2 7 , No . 4 2 0 1 0 年 7 月 Chinese Journal of Sp ectroscop y L aboratory July , 2 0 1 0 4 - 材料在紫外波段吸收系数的分析研究 H SiC a 陈厦平 　朱会丽 ( 厦门大学物理系　福建省厦门市思明南路422 号　361005) a( 集美大学理学院　福建省厦门市集美区银江路 183 号　361021) 　基于已报道的4H-SiC 材料在紫外波段( 325—390nm) 吸收系数的测定, 结合经验公式, 采用 外推和多项式拟合方法分析4H-SiC 材料在200—400nm 紫外波段的吸收系数, 并得到4H-SiC 材料的吸收 系数与波长的关系式。对4H-SiC 吸收系数的分析研究将作为 4H-SiC 光电探测器结构设计的一个重要依 据。 4H-SiC; 吸收系数; 紫外( UV) : O434. 2; T N304. 7: A : 1004-8138( 20 10) 04-1597-04 1　引言 近年来, 国际上纷纷采用第三代宽带隙( WBS) 半导体材料, 如碳化硅( SiC) 和氮化镓( GaN) 等 研制可工作在200—400nm 波段的半导体紫外光电探测器, 应用于军事( 如导弹和飞机等飞行物探 测) 、紫外天文学、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面, 具有极高的军事和民用价值, 因 此成为光电探测领域的研究热点。由于4H-SiC 材料具有宽带隙( 约3. 26 V ) 、高临界击穿电场、高 热导率、高载流子饱和漂移速率等特性, 被认为是制备高温、高频、抗辐射以及紫外光电器件的极具 [ 1] 潜力的半导体材料 。 半导体材料通常都能强烈地吸收光能, 即具有较大的吸收系数。随着入射光波在半导体中传 播, 波的振幅随着透入的深度而减小, 即存在光的吸收。这是由于半导体内部有自由电子存在, 波在 传播过程中在半导体内激起传导电流, 光波的部分能量转换为电流的焦耳热, 因此, 半导体材料的 [ 2] 吸收系数决定于电导率 。对于半导体材料而言, 吸收系数除了与材料本身有关外, 还随着光的波 5 - 1 长变化。对于吸收系数很大的情况( 如≈10 cm ) , 光的吸收实际上集中在材料很薄的表层内。 [ 3, 4] 已有一些报道 对4H-SiC 材料在紫外波段( 325—390nm) 的吸收系数进行测定。本文在已有 的研究基础上, 根据经验公式, 结合外推方法得到4H-SiC 材料在200—400 nm 紫外波段的吸收系 数, 并采用多项式拟合分析得到4H-SiC 在紫外波段( 200—400nm) 的吸收系数与波长的关系式。该 福建省自然科学基金项目资助( No. 2009J 05151) 和厦门市科技计划项目( No. 350 资助 联系人, 电话: ( 0592) 2182458; ( 0) E-mail: ch nxp@ xmu. du. cn 作 简介: 陈厦平( 1981—) , 男, 福州市人, 工程师, 博士, 主要从事宽禁带半导体材料薄膜的制备及紫外光电探测器的研制工作。 收稿日期: 2010-05-28; 接受日期: 2010-07-02 1598 光谱实验室 第27 卷 研究结果将应用于4 - 紫外光电探测器结构设计和研制当中。