半导体桥电流电压特性理论仿真研究 theoretic simulation of the dynamic current and voltage of semiconductor bridge.pdfVIP

火工品 INITIATORSPYROTECHNICS 2010年02月 2010年第l期 文章编号：1003．1480(2010)01．0006-04 半导体桥电流电压特性理论仿真研究 叶家海1，汪贵华2，秦志春1，周彬1，张文超1，田桂蓉1，徐振相1 (1．南京理工大学化工学院，江苏南京，210094；2．南京理工大学电光学院，江苏南京，210094) 摘要：通过试验获得了充电电容对半导体桥(scB)放电过程中SCB两端的电压以及流过SCB的电流，利用分 段计算电阻值变化方法，得到了SCB的温度与电阻的关系，然后运用该关系模拟了SCB的电医——时间和电流一 时间的关系曲线。该模拟方法主要从SCB电爆特性的物理意义出发，无需大量的数学束缚条件，且得到的模拟数值与 试验结果基本一致。 关键词：半导体桥；动态特性；电容放电；仿真 中图分类号：TJ450．1文献标识码：A TheoreticSimulationofthe Currentand ofSemiconductor Dynamic Voltage Bridge YE Jia-hail，WANGGui．hua2，QINZhi．chunl，ZHOUBinl，ZHANGWen．cha01，TIANGui．ron91，XUZhen．xian91 ofChemical ofScienceand ofElectronic University Technology，Nanjing,210094；2．School (1．School Engineering，Na坷ing and ofScienceand University EngineeringOptoelectronicTechnique，Nanjing Abstract：Basedonthetest bd豫，een resistanceof methodsimulates 倦timectIlV嚣arecalculatedthe SCB．The the usingrelationshiptempema鹏and muchmathematical the and SCBwithout consaaints,and the dynamicplop硎豁of employing physicalmeanings撒clear results a坞nearlypleased． 半导体桥(SCB)作为先进火工品换能元在受电研究了桥的电阻随吸收能量的关系，给出了定量的关 激励下，经过加热作用，经历了从常温、熔化、汽化 系[31。 到等离子体状态等多种复杂过程[i-61。近十几年来， SCB在电输入加载过程中，其阻抗发生变化的根 国内外对SCB这种变化进行了一些初步研究，获得 本原因是SCB温度的变化，由加载的能量引起SCB 了部分SCB的电流电压的实验规律和理论认识。最 温度变化，导致了它的电阻变化，根据欧姆定律，电 National 典型的计算方法是Sandia Laboratories的研阻变化引起电流电压发生变化。如果获得了SCB桥 究工作，他们在大量试验基础上，将半导体桥电阻随 的温度一电阻关系，将使SCB桥的电流电压关