chapter_5_存储器原理和扩展(ZQL).pptVIP

微机原理与嵌入式系统基础;第5章存储器原理与扩展;教学内容 ;学习要求 ;第五章 存储器原理与扩展;第五章 存储器原理与扩展;5.1 概述 （了解）;（1）根据存储介质可分为： 半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。 　 磁介质存储器：用磁性材料做成的存储器。 光介质存储器：用光存储材料做成的存储器。 （2）根据存储器的读写功能可分为： 只读存储器（ROM）：存放的内容已固定， 只能读出不能写入的半导体存储器。 随机读写存储器（RAM）：既可读出又可写 入的半导体存储器。 ;（3）根据处理器所访问的方式可分为： 内存储器：存放CPU要执行的程序和数据，CPU 可对其直接访问。 高速缓冲存储器：提高CPU访问内存的速度， CPU可对其直接访问。 外存储器：保存计算机系统的信息和数据，CPU 不能直接访问。;5.1.1 半导体存储器的分类　;图5.2 半导体存储器的分类;5.1.2 半导体存储器的名词含义　;图5.3 存储器的名词含义示意图;5.1.3 半导体存储器的主要性能指标 ;第五章 存储器原理与扩展;5.2 随机读写存储器（了解）;5.2.1 静态存储器 1. SRAM基本存储元 ;图5.4 六个MOS管的基本存储元电路结构示意图;（1）图中虚线内表示静态SRAM的一个存储元电路由6个MOS管构成。T1和T2为工作管，T3和T4为负载管，T5和T6为开关管。 （2）X地址译码线和Y地址译码线两个信号线同时有效时，该存储元被选中进行读/写。T7和T8为开关管，控制数据位的导通（读/写）。 （3）在上电瞬间，T3和T4管导通，使得A和B两点电压上升。由于A和B两点电压上升快慢不同，当A点电压上升较快时，T2管较早导通，使得B点处于低电平，导致T1管截止，A点处于高电平，使得T2管更加导通，从而形成一个A点高电平、B点低电平的稳定工作状态；反之依然。 （4）这种电路有两个稳定状态，并且，A和B两点电平总是互为相反的。所以，可用A点电平的高或低来表示“1”或“0”信息，即存放一个稳定的二进制信息值。 （5）当进行读/写操作时，X地址译码线和Y地址译码线两个信号线同时有效，导致T5、T6、T7、T8开关管全部导通，A和B两点通过分别连接的位线D和/D，从而使两点的存放信息被分别读出到I/O和/I/O线上（或反过来写入），实现该存储元的信息值读/写操作。读出信息后，原存放信息不会被改变。 （6）静态RAM的基本存储元电路中MOS管数目比较多，故集成度较低。此外，T1和T2管始终有一个处于导通状态，使得静态RAM的功耗比较大。但是静态RAM存放的信息稳定，不需要刷新电路，所以存储器外围电路比较简单。;2. SRAM的组成结构; 存储矩阵 存储信息的载体，由基本存储元构成。 存储器读/写控制逻辑 对CPU发来的存储器访问控制信号译码，控制存储器进行相应的操作。 双向数据缓冲器 存储器数据的输入和输出通道。 地址译码器 用于选择存储矩阵中的存储单元。;图5.6 单译码的电路连接示意图 图5.7 双译码的电路连接结构示意图;128选1译码器;读时序;3. 静态RAM的读写时序;4. 静态RAM芯片介绍;表5.1 6264芯片的工作方式选择。;5.2.2 动态存储器　1. 四管动态存储元;图5.12 四管动态RAM基本存储元; DRAM的刷新是在位线上增加一个预充MOS管来自动刷新所存储的信息值。刷新过程如下： (1)、预充MOS管导通，电源ED给数据线上的电容CD进行充电后，预充管截止。 (2)、行选择线有效，让T5和T6两个开关管导通，然后，数据线上的电容CD给栅极电容C1或C2补充电荷。 (3)、行选择线无效，刷新结束。 通过上述刷新步骤可以看出，每次只是行选择线有效，而列选择线无效。所以，存储器刷新采用读操作方式进行，每次可刷新所选择行上的所有存储元的内容。;2. 单管动态存储元; 名 称;3. 动态RAM芯片介绍;4. DRAM与CPU的连接;5. 动态RAM的读写时序;第五章 存储器原理与扩展;5.3 只读存储器（了解）;5.3.1 掩膜式ROM;5.3.2 一次编程式ROM;5.3.3 多次编程式ROM;1. EPROM存储器; 由这种EPROM做成的存储器芯片，