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模拟、数字电子及电力电子 第一天 绕太炊辰敖歧审摇吠彝茄振裹轰唆齿毒叉然夫肖戴避萎依政勒联买噎置痊五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术 目录 第一章 模拟电子基础知识 第二章 直接耦合放大器及 反馈 各强蝎旷弧视竣掩脯衣诈港愈绘捆运痢太采芥榨糖贼淌狈燥姆董他馏堰玫五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术 要点一：半导体 第一章 基础知识 杂质半导体分：电子型（N型）半导体　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　空穴型（P型）半导体 N 型半导体：在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价　　 　　　　　　元素。自由电子浓度大大增加的杂质半导体，　　　 　　　　　　也称为电子半导体。 P 型半导体：在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价　　　 　　　　　　元素。空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称　　　　　 　　　　　　为空穴半导体。 Ｎ 型半导体中空穴是少子，电子是多子。 Ｐ 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 吵磁间脐犀栗卷烃桂吮胆殖阎扩咨曰葡笺峡纯谁迸泻误顾升旨常滚歧纪狭五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术 1 ．空穴为少子的的半导体称为 A．P型半导体 B．N型半导体 C．纯净半导体 D．金属导体 2 ．本征半导体硅或者锗中掺入微量三价元素后，其中多数载流子是 A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．负离子 3 ． N型半导体的多数载流子是 A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．负离子 4 ． 杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于 A．掺杂浓度 B．制造工艺 C．晶体结构 D．温度 （Ｂ） （Ｂ） （Ａ） （Ｄ） 府襟蘑个湍谩敝菊幸延续己阑买蚊按结粪阵糠规贺楔纵拧贞筛藕薛碌屏德五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术 要点二：二极管 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动。 （１）PN结的形成 漂移运动和扩散运动的方向相反。 二极管正向导通状态时，其两端电压： 硅材料：0.6---0.8V 锗材料：0.1---0.3V 净柿库洒囤姬虽吕婚界蓝签鄂洋腊缩囚寡儡火浚散仗乾黔躁芭窄陶废焰宁五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术 （2）PN结的单向导电性 PN结外加正向电压： PN结P端接高电位，N端接低电位，称　　 　　　　　　　　　PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，　 　　　　　　　　　简称为正偏。 PN结外加反向电压： PN结P端接低电位，N端接高电位，称　　 　　　　　　　　　PN结外加反向电压，又称PN结反向偏　　 　　　　　　　　　置，简称为反偏。 结论： PN结外加正向电压导通，加反向电压截止，即PN结具有单向导电性 二极管的结构及符号 涨秒铭赃梦酒戎碘煎换辊哟摘旭领稗能秤阻绍腹灰痹沫老番炼危藕雅单羔五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术 有关二极管单向导电性的说法正确的是（ ） A. 正偏时，通过的电流小，呈现的电阻大；反偏时，通过的电流大，呈现的电阻小 B. 正偏时，通过的电流大，呈现的电阻大；反偏时，通过的电流小，呈现的电阻小 C. 正偏时，通过的电流小，呈现的电阻小；反偏时，通过的电流大，呈现的电阻大 D. 正偏时，通过的电流大，呈现的电阻小；反偏时，通过的电流小，呈现的电阻大 D 2. 图中二极管为理想器件，VD1、VD2的导通情况为（ ） A. VD1截止，VD2导通 B. VD1导通，VD2导通 C. VD1截止，VD2截止 D. VD1导通，VD2截止 A 免狱泌绦侈昌嚷非轻龙润富应般指帽壁部试薯吾标堕辣成刑裙操觅橙洽硼五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术五天搞定自考模拟、数字与电力电子技术 ３. 二极管的最主要特征是 。 ４. 硅材料二极管导通时，其两端电压为 伏， 锗材料二极管导通时，其两端电压为 伏。 ５. 半导体二极管的反向饱和电流越 ，说明该二 极管的单向导电性越好 ６. 硅二极管的死区电压约为 伏，锗二极管的死区电压约为 伏。 ７．全波及桥式整流情况下，输出电压平均值_____________ 8.限流电阻R的选择应满足两个条件，一是稳压管流过最小电流