大三电子技术第一章.pptVIP

教 学 要 求;基本内容;电子技术;主要内容;第1章 半导体器件 ;1.1 半导体基础知识 ;1.半导体;2.本征半导体（Intrinsic Semiconductor） ;简化原子结构模型如图简化形式。;共价键:由相邻两个原子各拿出一个价电子组成价电子对所构成的联系。 ;+4;+4;2.本征半导体;由于空穴带正电荷，且可以在原子间移动，因此，空穴是一种载流子。 半导体中有两种载流子：自由电子载流子（简称电子）和空穴载流子（简称空穴），它们均可在电场作用下形成电流。 ;半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，那么，电子空穴对是否会越来越多，电子和空穴浓度是否会越来越大呢？ 实验表明，在一定的温度下，电子浓度和空穴浓度都保持一个定值。 半导体中存在 载流子的产生过程 载流子的复合过程;综上所述：;注意;3. N型半导体和P型半导体;① N型半导体;N型半导体晶体结构示意图;杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。 自由电子的数目高，故导电能力显著提高。 把这种半导体称为N型半导体，其中的电子称为多数载流子（简称多子），空穴称为少数载流子（简称少子）。 在N型半导体中自由电子数等于正离子数和空穴数之和，自由电子带负电，空穴和正离子带正电，整块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。 ;② P型半导体;综上所述：;1.2 PN结的形成及其单向导电性 ; 有电场力作用时，电子和空穴便产生定向运动，称为漂移运动（Drift Movement）。 由于浓度差而引起的定向运动称为扩散运动（Diffusion Movement）。 ;（1）PN结的形成;（2）PN结的单向导电性;② PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;结论：;1.3 半导体二极管;半导体二极管图片;半导体二极管图片;2. 二极管的伏安特性 ;2. 二极管的伏安特性;2. 二极管的伏安特性;3. 二极管的主要参数;1.4 稳压二极管;1.4 稳压二极管;稳压管的主要参数： ;稳定电流IZ;最大稳定电流IZM;如图，考虑二极管正向压降。若Ia=10mA,则 ① Ib=20mA ② Ib20mA ③Ib20mA;例二:忽略二极管正向压降。已知ui=10sinωt V,画出图中输出电压uo波形。;1.5 双极型晶体管;晶体管图片;1. 晶体管的结构和类型;1. 晶体管的结构和类型;　发射极是输入回???、输出回路的公共端 ;IB/mA;IB/mA;IB/mA;⑴ 共射输入特性 ;⑴ 共射输入特性 ; UCE增加，特性曲线右移。 UCE≥1V以后，特性曲线几乎重合。 与二极管的伏安特性相似;⑵ 输出特性 ;⑵ 输出特性 ;⑵ 输出特性 ;⑵ 输出特性 ;4. 晶体管的主要参数;⑴ 电流放大系数 ;表示在动态时，集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比，即;值的求法：;(2)集电极-基极反向饱和电流ICBO;②集-射极穿透电流ICEO;集电极电流 IC上升会导致晶体管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。