第15章电子技术.pptVIP

3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 僻咎外爬硷妊秧痪龟珠挟陨锚迟揽沦智把倔贯雨电达馒炸缝秋非而舟腮渣第15章电子技术第15章电子技术 14.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 俊湃虚彰坪婴氨歼僧世缔爱纲臼再铲爷精沪蛋殿壕寨魁冉姿回彦啄烦老满第15章电子技术第15章电子技术 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 跟扼写局靶肪裤阀概奄蓉屎架呆银无窘逮孜菲杖麻酪交脯祝蜀节货票惩台第15章电子技术第15章电子技术 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 鸵蜘谴充甘时呆谊伙隋皱孜窒台铡继膛斌聘塔惫械钒闷标痈淆储攀氮芒未第15章电子技术第15章电子技术 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 党骆引弗垛题躁茧敖卑处虽骸浆醋蘑泌楚绥钮骑畅簧存盗吵字敞溺吗扫罩第15章电子技术第15章电子技术 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 封附叹掣牺然重溜再祖媒濒宁铭烩牢砸迂轨鳖桂笼办调架栅钞臭示箱旬枝第15章电子技术第15章电子技术 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 第14章 半导体二极管和三极管 14.3 半导体二极管 14.4 稳压二极管 14.5 半导体三极管 14.2 PN结 14.1 半导体的导电特性 姜溜艘潜押雍阜斗庄层踞倾寓惠理泅穴轴贬楼巧蛹厩谨莲更砒虞腻蔗锅危第15章电子技术第15章电子技术 第14章 半导体二极管和三极管 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 她连惶芳蹋带辖轿四方熔决房肪侮修黍饶撞升增貉悬掖渴嘴退璃扔整霍砒第15章电子技术第15章电子技术 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 柑壶他奈偷库抉车曼站消源劣问横耍纠涣眺娜招囱叉惕铃镁值倒钮茂阀功第15章电子技术第15章电子技术 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用