第2章 半导体二极管与其基本电路.pptVIP

电子技术;第二章 半导体二极管及其基本电路;半导体的基本知识 （1）;Ge;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;共价键共 用电子对;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此半导体中的自由电子极少，所以半导体在常温下几乎不导电。;本征半导体 （1）;+4;+4;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;杂质半导体（1）;杂质半导体（2）;正电荷量=施主原子+本征激发的空穴;杂质半导体（3）;负电荷量=受主原子+本征激发的电子;PN结的形成;1.空间电荷区中没有载流子。;PN结的性质—PN结的单向导电性（1）;PN结的性质-- PN结的单向导电性（2）;PN结的性质——PN结的单向导电性（3）;PN结的的电容效应（1）; (1) 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。; ;半导体二极管(Diode)结构（1）;