第3章 半导体二极管与其基本应用电路.pptVIP

  • 4
  • 0
  • 约2.29千字
  • 约 77页
  • 2017-07-23 发布于河南
  • 举报

第3章 半导体二极管与其基本应用电路.ppt

第3章 半导体二极管与其基本应用电路

第3章 半导体二极管及其基本应用电路;本章重点:; 根据物体导电能力(电阻率)的不同,划分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3~109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的特点: 1)导电能力不同于导体、绝缘体; 2)受外界光和热刺激时电导率发生很大变化—光敏元件、热敏元件; 3)掺进微量杂质,导电能力显著增加—半导体。;1、半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。;;本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构:; 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。; 当T升高或光线照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚;由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子; 温度越高,载流子的浓度越高,本征半导体的导电能力越强。因此温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。;1、N型半导体(电子型半导体):;2、P型半导体(空穴型半导体);三、PN结;P区空穴(多子)向N区扩散,留下不能移动的负离子; N区电子(多子)向P区扩散,留下不能移动的正离子; 正负离子形成空间电荷区(阻挡层、耗尽层、势垒区);动态平衡下的PN结;P型半

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档