第1章 半导体器件与其特性.pptVIP

;第1章 半导体器件及其特性 ;⒉ N型半导体和P型半导体;图1-1 本征半导体与掺杂半导体结构示意图 a) 本征半导体 b) N型半导体 c) P型半导体;⒊PN结;⑴ 形成过程和原理： ;⒋ PN结单向导电性;1.1.2 二极管;⑶ 数学表达式： ;⒉ 硅二极管与锗二极管伏安特性的区别;⒊ 温度对二极管伏安特性的影响;图1-7 温度对伏安特性的影响;⒋ 二极管的主要特性参数;⒌ 理想二极管;【例1-2】已知电路如图1-10a、b所示，VD为理想二极管，E=5V，ui=10Sinωt（V），试分别画出输出电压uO波形。;解：（1）图1-10a电路：;（2）图1-10b电路：;解题说明：求解含有理想二极管电路时，可先判断二极管导通还是截止。若二极管导通，则用短路导线替代二极管VD；若二极管截止，则将二极管开路。然后按一般线性电路分析计算。;1.2 特殊二极管 ;⒉ 稳压工作条件;1.2.2 发光二极管;1.3 双极型三极???;⒉ 分类;⒊ 电流放大原理;⑵ 电流分配关系;1.3.2 三极管的特性曲线和主要参数 ;⒉ 共发射极特性曲线;⑵ 输出特性曲线;⒊ 三极管共射电路工作状态 ;⒋ 三极管的主要参数;图1-24 三极管极间反向电流 a) ICBO b) ICEO ;⑹ 饱和压降UCES;⒌ 三极管安全工作区;【例1-4】已测得三极管各极对地电压值为U1、U2、U3，且已知其工作在放大区，试判断其硅管或锗管？NPN型或PNP型？并确定其E、B、C三极。;分析此类题目的步骤是：;② 确定NPN型或PNP型。;【例1-5】已测得电路中几个三极管对地电压值如图1-31，已知这些三极管中有好有坏，试判断其好坏。若好，则指出其工作状态（放大、截止、饱和）；若坏，则指出损坏类型（击穿、开路）。;分析此类题目的判据和步骤是：;② 区分放大或饱和。;③ 若发射结反偏，或UBE小于①中数据，则三极管处于截止状态或损坏。;1.4 场效应管;⒊ 特性曲线;3）数学表达式;⑵ 输出特性;2）特点：;⒋ 场效应管主要参数;⑸ 由于场效应管的漏极和源极结构对称，因此漏、源极可互换使用。;②测试：不能用万能表测试MOS场效应管，必须用测试仪。任何时候，栅极不能是悬空。