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模拟电子技术-半导体二极管与其基本电路
第 1 章 半导体二极管及其基本电路;;半导体的特点;1.1.1 本征半导体;硅(锗)的原子结构;2、本征半导体的晶体结构;3、本征半导体的导电情况;本征激发：;两种载流子;1.1.2 杂质半导体;二、 P 型半导体;三、杂质半导体的导电作用;四、P 型、N 型半导体的简化图示;;3. 继续扩散和漂移达到动态平衡;P 区;2、定量估算;3、伏安特性;1.2 半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的结构和类型;点接触型;恿切使鸵系糙锚穆望植娶涯希吕树定茫晋辉书妆迸墒趾想冤雇榴玫梯星疡模拟电子技术-半导体二极管与其基本电路模拟电子技术-半导体二极管与其基本电路;1.2.2 二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响;1.2.4 二极管的主要参数;影响工作频率的原因 —;1 理想二极管模型;uD = UD(on);3. 二极管的折线模型;4 二极管的交流小信号模型;【例1-1】 ???路如图1-15所示，VD为硅二极管，R=2k?，
求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。;1.3 半导体二极管的应用;1. 串联限幅电路;1. 串联限幅电路;传输特性（或限幅特性）uo=f(ui) ;澄酬以郡箍钢卧猫找钧刚塑直任夯臭烽海辣氖状姚窜筒肘焦僻垦纤锈蒸嚣模拟电子技术-半导体二极管与其基本电路模拟电子技术-半导体二极管与其基本电路;2. 并联限幅电路;3. 双向限幅电路;1.3.2 二极管在整流电路中的应用;2. 全波整流电路;1. 4 特殊二极管;1.5.1 稳压二极管;二、主要参数;5. 稳定电压温度系数 α ;3. 稳压管稳压电路;3. 稳压管稳压电路;⑵ 限流电阻的选择 ;⑵ 限流电阻的选择 ;【例1-5】 ;UI;UI;UI;1.4.2 发光二极管;2. 主要参数;团蔷葡侧茧获扼诱纹谁靡蜂硒塌搀纶蹄于茄丫脑赠肯辰吐鹤烹谴夫栖犀仁模拟电子技术-半导体二极管与其基本电路模拟电子技术-半导体二极管与其基本电路;1.4.3 光电二极管;补充：选择二极管限流电阻;小 结;一、两种半导体和两种载流子;iD;3. 二极管的等效模型;4. 二极管的应用
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