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嵌入式培训 系统的评价方法：测量法和模型法（1）测量法是最直接最基本的方法，需要解决两个问题：A、根据研究的目的，确定要测量的系统参数。B、选择测量的工具和方式。（2）测量的方式有两种：采样方式和事件跟踪方式。（3）模型法分为分析模型法和模拟模型法。分析模型法是用一些数学方程去刻画系统的模型，而模拟模型法是用模拟程序的运行去动态表达嵌入式系统的状态，而进行系统统计分析，得出性能指标。（4）分析模型法中使用最多的是排队模型，它包括三个部分：输入流、排队规则和服务机构。（5）使用模型对系统进行评价需要解决3个问题：设计模型、解模型、校准和证实模型。接口技术1. Flash存储器（1）Flash存储器是一种非易失性存储器，根据结构的不同可以将其分为NOR Flash和NAND Flash两种。（2）Flash存储器的特点：A、区块结构：在物理上分成若干个区块，区块之间相互独立。B、先擦后写：Flash的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。C、操作指令：执行写操作，它必须输入一串特殊指令（NOR Flash）或者完成一段时序（NAND Flash）才能将数据写入。D、位反转：由于Flash的固有特性，在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。E、坏块：区块一旦损坏，将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。（3）NOR Flash的特点：应用程序可以直接在闪存内运行，不需要再把代码读到系统RAM中运行。NOR Flash的传输效率很高，在1MB~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。（4）NAND Flash的特点能够提高极高的密度单元，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的U盘都使用NAND Flash作为存储介质的原因。应用NAND Flash的困难在于闪存需要特殊的系统接口。（5）NOR Flash与NAND Flash的区别：A、NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些。B、NAND Flash的擦除和写入速度比NOR Flash快很多C、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。D、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引进来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash的地址、数据和命令共用8位总线（有写公司的产品使用16位），每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据。E、NOR Flash的容量一般较小，通常在1MB~8MB之间；NAND Flash只用在8MB以上的产品中。因此，NOR Flash只要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。F、NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash是十万次。G、NOR Flash可以像其他内存那样连接，非常直接地使用，并可以在上面直接运行代码；NAND Flash需要特殊的I/O接口，在使用的时候，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND Flash上自始至终必须进行虚拟映像。H、NOR Flash用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，被成为代码闪存；NAND Flash则用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域，被成为数据闪存。2、RAM存储器（1）SRAM的特点：SRAM表示静态随机存取存储器，只要供电它就会保持一个值，它没有刷新周期，由触发器构成基本单元，集成度低，每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，因此其成本较高。它具有较高速率，常用于高速缓冲存储器。通常SRAM有4种引脚：CE：片选信号，低电平有效。R/W：读写控制信号。ADDRESS：一组地址线。DATA：用于数据传输的一组双向信号线。（2）DRAM的特点：DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。它必须有规律地进行刷新，从而将数据保存在存储器中。DRAM的接口比较复杂，通常有一下引脚：CE：片选信号，低电平有效。R/W：读写控制信号。RAS：行地址选通信号，通常接地址的高位部分。CAS：列地址选通信号，通常接地址的低位部分。ADDRESS：一组地址线。DATA：用于数据传输的一组双向信号线。（3）SDRAM的特点：SDRAM表示同步动态随机存取存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令发送与数据的传输