第4章_半导体二极管与晶体管1.pptVIP

第四章 半导体二极管和晶体管;§4.1 半导体物理基础知识;4.1.1、本征半导体;1.本征半导体的晶体结构;2本征激发和两种载流子; 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于数目很少，故导电性很差。;4.1.2 杂质半导体; 1. N型半导体; 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。; P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，;电子电流;扩散运动;参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。即扩散过去多少多子，就有多少少子漂移过来; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 ;PN结加正偏时： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，近似截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结电流方程; 当u 比UT大几倍时;PN结的击穿特性;3.PN 结的电容效应（自学）;4.2 二极管;4.2.1、二极管的基本结构;二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。;（a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 ;2、二极管的伏安特性; 1. 单向导电性; 电击穿：二极管的反向电流随外电路变化，反向电压维持在击穿电压附近---稳压管;3.二极管的等效电路及其应用;二极管的等效电路;交流小信号模型;1、二极管整流电路; 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！;1. 稳定电压UZ;u i ≥ E+UD(ON) ;=5mA，; ;(2) 计算;因此 ;拯樟偶携伦璃赊割俐竞战键固斟挪跃木讳菠铂辕拙局芬楞卜参舟墅处建然第4章_半导体二极管与晶体管1第4章_半导体二极管与晶体管1;解：;唤签瓢飘待优帜硕芯厉条女严闸刘言暴弓趾犀妈挥渭睁具瞻疟的嗡功褂舜第4章_半导体二极管与晶体管1第4章_半导体二极管与晶体管1;【例】 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 ;【解】（1）理想模型，如图（b）;【解】（2）恒压降模型，如图（c）