GB/T 13178-1991金硅面垒型探测器.pdf

中华人民共和 国国家标准 金 硅 面 垒 型 探 测 器 GB/T 13178一91 Partiallydepletedgoldsilicon surfacebarrierdetectors 主题内容与适用范围 本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器 简（称探测器）的分类、技术要求、测试方法、检验规则等。 本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器 不（包括位置灵敏探测器）。铿漂移金硅面垒型探测器也 可参照执行。 2 引用标准 GB5201带电粒子半导体探测器测试方法 GB10257 核仪器与核辐射探测器 质量检验规则 3 术语、符号、代号 3.1 术语 3.1.1 面垒型半导体探测器 surfacebarriersemiconductordetector 由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。 3.1.2耗尽层灵（敏层）depletionlanyer 半导体探测器中构成灵敏体积的一层半导体材料，粒子在其中损耗能量的绝大部分对输出信号均 有贡献。 3.1.3部分耗尽 partialdepletion 耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度。 3.1.4 灵敏面积 sensitivearea 探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分面积。 3.1.5 半高宽F（WHM) fullwidthathalfmaximum 在仅由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点的横坐标之间的距离。 3.1.6 能量分辨率 energyresolution 探测器对能谱高度分布FWHM的贡献 包（括探测器漏电流噪声）以能量单位表示。 3.2 符号、代号 3.2.1 对241Am源5.486MeV的a粒子，使用标准电子学设备，成形时间常数为0.5yes时，表示整个系统 的分辨率k（eV)o 3.2.2 R 在3.2.1同样条件下，表示由脉冲产生器信号峰的半高宽(F（WHM）近似的p粒子的分辨率 k（eV)o 3.2.3 EI.EZ 国家技术监督局1991一04一11批准 1992一05一01实施 标准分享网 免费下载 GB/T 13178一91 分别代表能量为5.486 MeV及5.443 MeV, 3.2.4 N, , N2 分别代表能量E,,E：所对应的道数。 12. 5 AN. 以道数表示的’sAm源5.486 McVa粒子峰的半高宽。 12. 6 ANo 以道数表示的产生器信号峰的半高宽。 4产品的分类 4.1产品的外形及结构尺寸 产品按外形和结构的不同分成A型,B型和C型。产品的外形见图1，结构尺寸见表1, 叠 叠 A型结构 B型结构 C型结构 图1部分耗尽金硅面垒型探测器 表1部分耗尽金硅面垒型探测器结构尺寸 灵敏面积 标称值 A型结构 B型结构 C型结构 mm2 W C H D C H D C H D 7 3.0 16 25 5.6 18 19.4 50 8.0 15 18 19.4 100 11.3 19 25 26.1 12 7.0