独特的蓝宝石夹持工艺有望生产出更亮，价格更优惠的LED - 牛津仪器.PDF

PLASMA 牛津仪器等离子技术公司 化合物半导体期刊 独特的蓝宝石夹持工艺 有望生产出更亮，价格 更优惠的LED产品 By Mark Dineen, 牛津仪器等离子技术公司 /plasma | plasma@ January / February 2015 Copyright Compound Semiconductor Copyright Compound Semiconductor PLASMA 蓝宝石蚀刻简介 LED的设备制造商们正在努力地制造更便宜，使 LED出光效率更高的芯片。如果成功，LED销量将 大大增加，同时LED的应用也将变得更加广泛。 提升LED出光效率的最有效方法是将器件的外延衬 底由平面蓝宝石改为蚀刻过的图案化表面。这种称 为图案化蓝宝石的替代方案正越来越受欢迎，因 为它为高亮度LED的制造商们提供了两大好处： 一，提高了LED的发光效率，这归功于纹理控制； 二，降低了外延GaN时的缺陷比，这归功于三维 面的生长促使GaN外延片在MOCVD （Metal- organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化 合物化学气相沉淀）生长过程中更早以聚结。 但转向图案化蓝宝石也有缺点：将材料蚀刻成有用 的图案并不容易，这涉及到加工成本，且加工成 本必须足够低到不至于抵消掉LED性能提升所带来 的相关收益。 蚀刻方案 图1静电吸附技术提供了良好的热传递效益，这归功于晶圆和电 图案化蓝宝石的制备有两种方案：湿法蚀刻和干 极之间的氦压力恒定使导热迅速。注意，背面的氦气压力恒定， 法蚀刻。湿法蚀刻涉及到高压和硫酸、磷酸的混 氦气泄露很慢，保持恒定。 合物 ，需要专门的设备确保操作安全。蚀刻率 相对较高，比如每分钟可达到1μm ，不过通常 需要硬掩模。不利的是，这需要使用额外的 PECVD设备 （Plasma Enhanced Chemical Vapor 另一种方案是干法蚀刻，使用光刻胶掩模将图案 转印至蓝宝石。一种常见的方法是使用基于BCl 的 Deposition，等离子体增强化学气相沉积）和较 3 危险的蚀刻步骤。 等离子体蚀刻，采用高密度等离子源，比如感应 耦合等离子体。此过程需要适度的高离子轰击能 量来实现一个可行的蚀刻速率，范围在每分钟 50-150 nm。尽管可以获得更高的蚀刻速率，不过 温度可能会超过140°C，从而使得晶圆上的光刻胶 掩模劣化分解。 Copyright Compound Semiconductor January / February 2015 PLASMA 无论采用哪种蚀刻工艺，在整个晶圆上生成一组均 预见的未来里还是持保守态度，计划生产的晶圆 匀的锥体都是至关重要的。注意：这并非无足轻