知识3第三章 扩散.pptVIP

横向扩散深度: ①当硅内的浓度比Ns小两 个数量级，为纵向扩散的 75%-85%。 ②高浓度掺杂，则为 纵向扩散的65%- 70%。 3.6 二维扩散（横向扩散） * 横向扩散的影响 ①ULSI的集成度减小：设计尺寸（如沟道长度L） 大于实际尺寸。 ②横向穿通效应 3.6 二维扩散（横向扩散） * 3.7 扩散工艺（自学） 按扩散系统：开管、闭管、箱法； 按杂质源：固态，液态，气态； ： * 3.7 扩散工艺 3.5.1 固态源扩散 组成：主要是掺杂元素的氧化物，如B2O3、P2O5、BN 形态：片状、粉状、乳胶状、薄膜（掺杂的多晶硅） 扩散方式： ①开管: 杂质源是片状和粉状，且杂质源与Si平分 开，不接触。 特点：工艺简便，重复性、稳定性好。 * ②箱法：杂质源和Si片放在有盖的石英箱里。 特点：恒定表面源扩散，即NS=NSi；兼有开管和闭 管的优点。 ③涂源法：将掺有扩散杂质的乳胶源旋涂在Si片上。 特点：适于各种扩散杂质； ④薄膜法：用CVD方法先在Si片上淀积一层含扩散杂 质的薄膜，如SiO2、Poly-Si、Si3N4。 特点：工艺灵活。 3.7 扩散工艺 * 3.5.2 液态源扩散 掺杂源：液态化合物，如POCl3、PCl3、AsCl3、 方法：通过携带气体（N2）进入扩散炉； 特点：掺杂量控制精确，均匀性、重复性好。 3.5.3 气态源扩散 掺杂源：气态化合物，如PH3、AsH3、B2H6、BCl等； （ 毒性较大，需用N2、Ar2稀释到1%-2%） 特点：相比液态源扩散，操作更方便。 3.7 扩散工艺 * 3.5.4 杂质源 1. B掺杂源 固态：粉状--B2O3 、BN； 陶瓷片--BN、B2O3+SiO2+Al2O3； 反应：BN+O2→ B2O3+N2 B2O3+Si →B+SiO2； 硼硅玻璃：BSG ，SiO2 中掺B2O3。 B2O3的性质：无色粉末、熔点577℃，沸点1860℃ 能溶于酸和醇。 3.7 扩散工艺 * 2. P掺杂源 ①固态：粉状P2O5；陶瓷片 P3N5、Si·P2O7+Al（PO3）3 反应： P3N5 +O2→ P2O5+N2 P2O5+Si →P+SiO2； 磷硅玻璃：PSG，SiO2 中掺P2O5。 ②液态：POCl3、PCl5、PBr3、P（CH3O）3。 高温（ 600℃）下，POCl3 → P2O5+PCl5 PCl5 +O2→ P2O5+Cl2 P2O5的性质：白色粉末，熔点420 ℃，300 ℃升华， 吸水性强。 3.7 扩散工艺 * 3.8 扩散层质量参数 包括：结深xJ ，方块电阻R□(RS) ，表面浓度 NS ，击穿电压BV等。 ①结深xj 定义：pn结的几何位置与扩散层表面的距离. 设衬底的杂质浓度为NB，即N(XJ ,t)=NB，得 * 结深的测量（参阅《微电子实验》，实验30） a.磨角染色法： b.滚槽法： 染色：电解水氧化Si片，由于P区和N区电导率不同（掺杂浓度不同），电解时的电流密度不同，氧化厚度不同，故显示的颜色不同。 3.8 扩散层质量参数 * * ②方块电阻R□(RS) 定义:结深为Xj的一个正方形扩散层的薄层电阻即 (Ω/□) ∵扩散层存在浓度分布梯度，ρ应由 代替， ∴ 式中，ρ—电阻率，q—电子电量， —载流子平均迁移率， Q—杂质总量。 （参阅《微电子实验》，实验2） 3.8 扩散层质量参数 * R□ (RS)的测量—四探针 V—2,3探针间电压 I—1,4探针间电流 C—修正因子，与Si片大小、 形状等有关。 的测量—霍尔效应 3.8 扩散层质量参数 * 3.9 扩散的局限性 扩散是各向同性的，掩膜下方也会有杂质横向扩散 不能独立控制结深和掺杂浓度：掺杂浓度与结深有关 高温、深结：不适于深亚微米器件及电路 横向扩散 *