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闩锁（Latchup） 效应 * 消除闩锁效应 * MOS管栅极的放电保护 * 版图——层的描述 N阱 有源 多晶 注入 引线孔 金属 * 版图——层的描述 N阱 有源 多晶 注入 引线孔 金属 * 版图规则 单层规则 最小宽度(A1) 最小间距(A2) 层与层之间的规则 最小间距(A3) 最小包围(A4) 最小延展(A5) 天线规则 限制和栅极相连的大面积导电材料 A1 A2 A3 A4 A5 * CMOS 工艺 导论 基本的半导体工艺 CMOS工艺步骤 CMOS工艺中的器件 关于CMOS工艺的其它考虑 版图和版图规则 * 导论 了解工艺对模拟集成电路的重要性 * 基本的半导体工艺 硅晶圆（Silicon Wafer) 单晶生长 柱状晶体：直径75~300mm，长度1m。 在晶体生长时参杂：~ 切割成硅晶圆片 0.5~0.7 mm厚，厚度由物理强度要求决定。 * 氧化 氧化 ~ 在硅表面形成二氧化硅（ ）的工艺 用途 阻挡杂质对氧化层下材料的粘污 层与层之间的隔离 生长方式 干法（薄氧100~1000 ?）、湿法（厚氧） 生长的温度：700~1100 ℃ 氧化物在硅表面生长时也深入到硅的内部 * 扩散 扩散 ~ 杂质原子由材料表面向材料内部运动的过程，是一种参杂的方法。 两种扩散机理： 预淀积（表面无限杂质源） 再分布（表面无杂质源） 在高温下进行 700~1400℃ * 离子注入 离子注入 ~ 杂质的离子由电场加速到很高的速度并注入到材料的内部。 参杂的精确控制 参杂的深度和浓度可控：±5%。重复性好 在低温下进行 退火温度：500~800℃ 需要退火处理 高速的离子注入会对半导体晶格产生破坏，使注入电子留在电不活动区。这种损害可以用退火的方法来修复。 * 淀积 淀积 ~ 把多种不同材料的薄膜层沉积到材料表面 用途 氮化硅 氧化硅 多晶硅 金属 不同的淀积技术 化学气相 蒸发 溅射 * 刻蚀 刻蚀 ~ 去除被暴露材料（未保护）的工艺 选择性和各向异性 保护薄膜、 需刻蚀薄层、 底层 两种基本的刻蚀技术 湿法刻蚀：不同的化学试剂--〉不同的需刻蚀材料 依赖于时间和温度 干法(等离子、反应离子）刻蚀：各向异性的分布。 * 光刻 光刻 ~ 将版图数据转换到晶圆上，完成区域选择 基本元素 掩模：和版图数据相对应，使光刻胶部分区域曝光。 光刻胶：在紫外光下会改变性能的有机聚合体。 正胶 — 暴露在紫外光下的区域将会去除。 负胶 — 未暴露在紫外光下的区域将会去除。 形成图形的材料：如二氧化硅 曝光方式：接触式、接近式、投影式（扫描和步进） 光源：UV、电子束 步骤： 涂胶→预烘→曝光（光刻版）→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 * 光刻步骤 * 光刻步骤 * N 阱CMOS 工艺 在P型衬底上形成N型衬底 确定有源区和场区 场区隔离 制备MOS管 阈值电压调节 “自对准”结构 LDD轻参杂工艺 元件互连 钝化 * N 阱CMOS 工艺步骤 在p-衬底上形成n阱 n阱注入 SiO2 光刻胶 P- 衬底 SiO2 Si3N4 n阱 P- 衬底 形成有源区和场区 * N 阱CMOS 工艺步骤 N型场注入 P- 衬底 P- 衬底 n阱 n阱 SiO2 Si3N4 Si3N4 光刻胶 光刻胶 p型场注入 * N 阱CMOS 工艺步骤 P- 衬底 P- 衬底 n阱 n阱 FOX FOX Si3N4 形成厚氧化层隔离 形成多晶硅层 多晶硅 * N 阱CMOS 工艺步骤 P- 衬底 P- 衬底 FOX FOX n阱 n阱 多晶硅 多晶硅 侧壁SiO2 n+ S/D注入 * N 阱CMOS 工艺步骤 n- S/D LDD注入 P- 衬底 P- 衬底 FOX FOX n阱 n阱 多晶硅 多晶硅 LDD扩散 形成n沟道LDD晶体管和p沟道LDD晶体管 * N 阱CMOS 工艺步骤 P- 衬底 P- 衬底 FOX FOX n阱 n阱 n+扩散 p+扩散 BPSG CVD氧化 金属1 * N 阱CMOS 工艺步骤 * 硅化技术 Polyside/Silicide工艺 减小电阻率：TiSi2、WSi2、TaSi2 * N 阱CMOS 工艺步骤 * N 阱CMOS 工艺