精选2010光源与光检测器c4.ppt

4．2．3雪崩光电二极管APD PIN存在的问题 1。耗尽区加长，反向偏压不能加很高，使载流子的漂移时间长 —— 响应速度慢 2。光生电流小，引入放大器的噪声 ——接收机信噪比低。 APD工作原理 雪崩光电二极管在结构设计上已考虑能承受高反向偏压，在PN结内部形成一个高电场区，光生的电子——空穴对经过高电场区时被加速而获得足够的能量，它们在高速运动中与晶体上的原子碰撞，使晶体中的原子电离，从而产生新的电子——空穴对，这样多次碰撞电离的结果，使载流子迅速增加，反向电流迅速加大，形成雪崩倍增效应，APD就是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。 4．2．4 光电检测器的主要技术指标 响应度R 定义一光电检测器的平均输出电流IP与其平均入射光功率P0之比。 = 是表征光电转换效率高低的一个物理量 * 光生电流 e – 电子电荷 h – 普朗克常数 f – 光频 -吸收系数 w – 耗尽区的宽度 r – 光纤入射端面的反射系数（越小越好） * 量子效率（ ） 定义——检测器中产生的电子一空穴对数与入射的光子数之比 量子效率与响应度的关系为： RO= 光电转换效率高。 * 响应时间或响应速度（输入光 输出光生电流） 定义——表示对光信号的反应能力，常用对光脉冲响应的上升或下降沿表示，从接收到光子起到它能够有光生电流输出的这段时间。 光电响应时间，由以下三个因素： （1）耗尽区内光生载流子的漂移时间 电场较低，V与E成正比，当ES=106V/m，速度达到极限值，不再变化，要使载流子能以极限漂移速度渡越耗尽区，必须使反向偏压达到VESW 2）耗尽区以外即扩散区以内，载流子的扩散时间 扩散运动速度比漂移运动的速度慢得多，未产生光生电流 零电场下扩散区表面产生的电子一空穴对 （a）复合 光电效率低 （b）被电路吸收 先扩散到耗尽区，这部分载流子作扩散运动的附加时延会使光电检测器输出的电脉冲的下降沿的拖尾加长，影响了光电二极管的响应速度。 光电二极管 Cd – 结电容 A——结区面积 ε——介电常数 w——耗尽区厚度 Rs – 串联电阻，可忽略 Cd 和负载电路的时间常数限制了器件的响应速度。 * 暗电流Id 表示无光照射时出现的反向电流。 主要是由热激发而产生的载流子引起的，因此，暗电流与温度有关，温度越高，暗电流越大，暗电流随温度变化形成了噪声。 影响接收机性能好坏的重要参数信噪比，其噪声源（1）光电检测（2）前置放大器 平均雪崩增益（倍增因子G） 电流增益系数 G= IG—— 倍增后的总输出电流的平均值 IP ——初始的光生电流 R —— APD的内阻 I—— APD的输出电流 VB —— APD的击穿电压 n —— 某一指数（常数） 与APD的材料、掺杂分布和工作波长等因素有关，一般为3~6 * 结电容 影响光电检测器响应时间的第三个因素是光电二极管和它的负载电路的时间常数RC，其中，C包含二极管PN结的结电容Cd A——结区面积 ε——介电常数 w——耗尽区厚度 * 过剩噪声系数F（G） 指一次电子——空穴对和二次电子一空穴对的随机性造成的附加噪声（入射在光电检波器光敏面上的光子产生一次电子一空穴对的随机性，指每个一次电子一空穴对产生二次电子一空穴对数是不能准确测定的）。 倍增噪声，互不相关。 过剩噪声系数F（G） 1.g为一次和二次电子——空穴对数，g是随机变量又称为随机增益， 2.随机增益g的统计平均值g等于平均雪崩增益G， g=G， 3.g的均方值并不等于平均雪崩增益G的平方 g2 = F（G） G – 平均雪崩增益 Ke—— 空穴／电子碰撞游离概率比Ke * 过剩噪声指数X 将上式F（G）简化， 常采用近似公式： ﹙g2﹚≈G2+x≈〈g〉2+X GX或者〈g〉X也可称为过剩噪声系数 APD的制作工艺和使用的材料 x： Si — APD x在0.3~0.5 Ge —APD 0.8~1.0 InGaAsP—APD 0.5~0.7 不同材料制作的APD 和P