课件ch1电力电子器件-1.ppt

IGBT的特性和参数特点可以总结如下： 绝缘栅双极晶体管 1.4.4 (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当。 (2)?相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。 (3)?? 通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 (4)?? 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 (5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 * 4. IGBT的擎住效应和安全工作区 寄生晶闸管——由一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成。 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 绝缘栅双极晶体管 1.4.4 * 擎住效应或自锁效应： 绝缘栅双极晶体管 1.4.4 IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。 反向偏置安全工作区（RBSOA） ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 正偏安全工作区（FBSOA） 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。 擎住效应曾限制IGBT电流容量