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在x=∞的边界条件为 光照下，当表面复合在半导体样品的一端发生时，从半导体内部流至表面的空穴电流密度为qUs，如图。假设样品均匀光照，且载流子均匀产生。表面复合将导致在表面具有较低的载流子浓度。这个空穴浓度的梯度产生了一个等于表面复合电流的扩散电流密度。因此在x=0处的边界条件为 表面的少数载流子（简化情形二） 因此在稳态下，微分方程式为 连续性方程 x hv 表面复合 N型 0 Pn(x) Pn(0) Pn0 0 以上述的边界条件求得方程式的解为 右图为对一有限的S1r值上面方程式解的图示。 当S1r →0，则 pn(x)→pn0+τpGL， 当S1r →∞，则 可见，表面的少数载流子浓度趋近于它的热平衡值。 连续性方程 x hv 表面复合 N型 0 Pn(x) Pn(0) Pn0 0 连续性方程 海恩-肖克莱实验（简化情形三） 证明少数载流子的漂移及扩散情形的经典实验，可独立测量少数载流子的迁移率μ及扩散系数D。 + - 0 x n x pn-pn0 t=0 t1 t2 x pn-pn0 t=0 t1 t2 脉冲注入超量少数载流子后，半导体内部无载流子产生，且外加电场恒定。 假如无电场施加，只有扩散和复合情形的解，N为单位面积电子或空穴产生的数目。 有电场施加时，以上解存在漂移情形 例7：在海恩-肖克莱实验中，在t1=100μm及t2=200μm时少数载流子的最大幅度差了5倍，计算少数载流子的寿命。 解：当施加一电场时，少数载流子的分布为 在最大增幅 因此 在半导体表面上，假如载流子具有足够的能量，它们可能会被发射至真空能级，这称为热电子发射过程。 图(a)显示一个被隔离的n型半导体的能带图。电子亲和力为qχ为半导体中导带边缘与真空能级间的能量差；而功函数q?s则为半导体中费米能级与真空能级间的能量差。由图(b)可见，假如一个电子的能量超过qχ ，它就可以被热电子式发射至真空能级。 热电子发射过程(thermionic emission process) 概念： 热电子发射与能带关系： 热电子发射 真空能级 真空 半导体 Ec Ef Ev qVn (a) 隔离N型半导体的能带图 qVn Ec Ef Ev (b) 热电子发射过程 电子分布 适合热电子发射 能量高于qχ的电子浓度可通过类似于导带电子浓度的表示法来获得，不过积分的下限为qχ ，而非EC，即 其中NC为导带中等效态密度, Vn为导带底部与费米能级间的差值。 描述与表征 热电子发射 真空能级 真空 半导体 Ec Ef Ev qVn (a) 隔离N型半导体的能带图 例8：一n型硅晶样品，具有电子亲和力qχ=4.05eV及qVn=0.2eV，计算出室温下被热电子式地发射的电子浓度nth。假如我们将等效的q χ降至0.6eV, nth为多少？ 解: 根据上式，得： 可见在300K时，当qχ=4.05时并没有电子被发射至真空能级。但当qχ降至0.6eV，就会有大量的热电子被发射。热电子发射过程对于金属-半导体接触尤其重要。 热电子发射 图(a)显示当两个隔离的半导体样品彼此接近时的能带图。它们之间的距离为d，且势垒高qV0等于电子亲和力qχ。假如距离足够小，即使电子的能量远小于势垒高，在左边半导体的电子亦可能会跨过势垒输运，并移至右边的半导体。这个过程称为隧穿。 现象描述 隧穿过程 Ec Ef Ev d 真空能级 Ec Ef Ev (a) 距离为d的两个隔离半导体的能带图 B A E 0 C x 能量qV(x) (b) 一维势垒 qV0 qV0 d 基于图(a)，图(b)中重新画出其一维势垒图。首先考虑一个粒子(如电子)穿过这个势垒的隧穿系数。在对应的经典情况下，假如粒子的能量E小于势垒高qV0，则粒子一定会被反射。而我们将看到在量子的情况下，粒子有一定的几率可穿透这个势垒。 隧穿机理 隧穿过程 Ec Ef Ev d 真空能级 Ec Ef Ev (a) 距离为d的两个隔离半导体的能带图 B A E 0 C x 能量qV(x) (b) 一维势垒 qV0 qV0 d 粒子(如导电电子)在qV(x)=0区域中的行为可由薛定谔来描述，即 其中mn为有效质量，?为约化普朗克常数，E为动能，Ψ为粒子的波函数，其解为 或 和 其中k= 。对于x≤0，有一个入射粒子波函数(振幅为A)及一个反射的波函数(振幅为B)；对于x≥d，有一个传导的波函数(振幅为C)。 在势垒中，波动方程式为 或 隧穿过程 B A E 0 C x 能量qV(x) qV0 d 对于EqV0，上式的解